[发明专利]晶圆切割方法无效
| 申请号： | 200710000266.6 | 申请日： | 2007-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101226897A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 褚福堂;钟启源;滕冀平 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切割 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆切割方法，其特征在于，包含以下步骤：
(a)提供一个晶圆，所述晶圆具有一个主动表面及一个相对应的背面，该主动表面具有复数个切割道；
(b)涂布一个保护层于所述晶圆的该主动表面及所述切割道；
(c)贴附一个研磨胶带于所述保护层下；
(d)研磨所述晶圆的该背面以薄化所述晶圆；
(e)去除所述研磨胶带；及
(f)切割所述晶圆以形成复数个芯片。
2.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，在步骤(b)中，所述保护层以旋转涂布的方式涂布于所述晶圆的该主动表面。
3.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述保护层为一种液态胶。
4.如权利要求3所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述液态胶为环氧树脂。
5.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，在步骤(b)之后更包括了一个烘烤的步骤，以固化所述保护层。
6.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，在步骤(f)之后更包括了一个移除所述保护层的步骤。
7.如权利要求6所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述保护层是以一种溶剂移除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
