[发明专利]IC标签用插件的制造方法无效

专利信息
申请号: 200680054822.1 申请日: 2006-06-02
公开(公告)号: CN101460962A 公开(公告)日: 2009-06-17
发明(设计)人: 宇佐美光雄 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: G06K19/07 分类号: G06K19/07;G06K19/077;H01L21/56;H01L21/683
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 王茂华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: ic 标签 插件 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及IC标签用插件(inlet)的制造技术,尤其涉及有效应用于将超小型半导体芯片连接在天线上的IC标签用插件的制造的技术。

背景技术

使用微波等读取写入到半导体芯片中的数据的无线识别IC标签也被称为RFID(Radio Frequency Identification:射频识别)标签,其被广泛应用于各种领域。

这种IC标签使数据存储在半导体芯片内的存储电路中,因此与利用条码的标签等相比,具有能存储大容量的数据的优点,但由于结构复杂,因此制造成本较高,这成为妨碍广泛普及的主要原因。

因此,近年来正在进行简化了结构的廉价的IC标签用插件(以下,有时也简称为插件)的开发。该IC标签用插件包括由较薄的Al(铝)箔构成的天线、和安装在该天线的表面的半导体芯片(以下,有时也简称为芯片)。半导体芯片的外形尺寸为0.3mm角~0.4mm角,厚度为数十μm左右,但最近随着插件的小型化和薄型化的要求,开发了外形尺寸为0.15mm角以下、厚度10μm以下的超小型IC标签用半导体芯片。

但是,上述超小型半导体芯片的尺寸极小,因此无法象现有的半导体芯片那样用镊子(tweezer)夹着来安装到天线上。因此,为了廉价且大量地生产使用超小型半导体芯片的IC标签用插件,需要能够高效处理(handling)超小型半导体芯片的技术。

在日本特开平10-033969号公报(专利文献1)和日本特许第3326462号(专利文献2)中公开了如下技术:在滴落管内溶解从原料供给装置供给的颗粒状的硅,形成圆球状的硅结晶,然后冷却回收的球状半导体器件的制造方法中,根据需要在滴落管内流过气体。另外,在日本特开平07-283098号公报(专利文献3)中公开了如下标准粒子发生装置:过饱和状态的乙醇蒸汽(疏水性有机气体)作为凝缩核凝集微粒子,生长为nm尺寸的粒子。

专利文献1:日本特开平10-033969号公报

专利文献2:日本特许第3326462号

专利文献3:日本特开平07-283098号公报

发明内容

如上所述,IC标签用半导体芯片的尺寸极小,因此在现有的处理技术中,无法高效地安装在天线上。尤其是外型尺寸为0.15mm角以下、厚度为10μm以下的超小型半导体芯片的外观为粉末状,表面积与体积之比较大,因此还产生由于静电、范德瓦尔斯力而使芯片彼此集聚、附着在使芯片排列的夹具上而难以分离的问题。

本发明的目的在于提供一种技术,能够廉价地量产使用了超小型IC标签用半导体芯片的IC标签用插件。

本发明的上述以及其他目的和新的特征根据本说明书的记载和附图而得以明确。

简单说明本申请公开的发明中的代表性技术方案的概要如下。

(1)本申请的发明是一种IC标签用插件的制造方法,该IC标签用插件包括在主面上形成有集成电路和第一电极并且在背面上形成有第二电极的半导体芯片、与上述第一电极和上述第二电极中的一方相连接的第一天线、与上述第一电极和上述第二电极中的另一方相连接的第二天线、覆盖被上述第一天线和上述第二天线夹持的上述半导体芯片的支承树脂,该制造方法包括以下工序(a)~(f)。

工序(a),在主面上形成有集成电路和第一电极并且在背面上形成有第二电极的半导体晶片的上述主面上覆盖支承树脂;

工序(b),将上述半导体晶片的背面粘贴在切割带上;

工序(c),通过切割粘贴在上述切割带上的上述半导体晶片来将其单片化为主面被上述支承树脂所覆盖的多个半导体芯片;

工序(d),通过对覆盖上述多个半导体芯片各自的主面的上述支承树脂进行加热、溶融,从而用上述支承树脂覆盖上述多个半导体芯片各自的整个面;

工序(e),在上述工序(d)之后,将由上述支承树脂所覆盖的上述多个半导体芯片的每一个夹入上述第一天线和第二天线之间;以及

工序(f),在上述工序(e)之后,通过对上述支承树脂进行溶融、加压,来使上述多个半导体芯片各自的上述第一电极与上述第一天线和上述第二天线中的一方电连接,并使上述第二电极与上述第一天线和上述第二天线中的另一方电连接。

(2)本申请的发明是一种IC标签用插件的制造方法,该IC标签用插件包括在主面上形成有集成电路和第一电极并且在背面上形成有第二电极的半导体芯片、与上述第一电极和上述第二电极中的一方相连接的第一天线、与上述第一电极和上述第二电极中的另一方相连接的第二天线、覆盖被上述第一天线和上述第二天线夹持的上述半导体芯片的支承树脂,该制造方法包括以下工序(a)~(g)。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所,未经株式会社日立制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680054822.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top