[发明专利]对绝缘体上半导体结构进行抛光的方法无效
| 申请号： | 200680051834.9 | 申请日： | 2007-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101336471A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | J·S·希特斯;C·M·达坎吉罗;S·J·格瑞格斯基;R·O·马斯克梅耶;M·A·斯托克;J·C·托马斯 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘体 上半 导体 结构 进行 抛光 方法 | ||
1.一种对基板上的半导体材料层进行抛光的方法，包括：
提供一个不平的基板，所述基板具有第一侧面、第二侧面以及位于基板第一侧面上的半导体材料层；
对半导体层进行抛光以减小其厚度；
在抛光的同时，通过基板的第二侧面测量半导体层的厚度；
利用半导体厚度测量结果来修改抛光操作以便产生厚度基本上均匀的半导体层；以及
抛光包括：除去子孔径材料去除区域之内的半导体材料。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，基板的厚度是不均匀的。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：用流体轴承支撑着基板。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，测量是在材料去除区域内执行的。
5.一种对接合到基板上的半导体层进行抛光的方法，包括：
提供不平的基板，所述基板具有第一侧面、第二侧面以及接合到第一侧面的半导体层，所述半导体层具有露出的表面区域；
对至少一个子孔径材料去除区域内的半导体层进行抛光；
至少一个材料去除区域在半导体层上形成移动；
在抛光的同时，测量半导体层的厚度；以及
利用测得的半导体层的厚度来修改抛光操作以便在露出的表面区域上产生一个厚度基本上均匀的半导体层。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，测量是通过基板第二侧面执行的。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，测量是在材料去除区域之内执行的。
8.一种对接合到基板的半导体层进行抛光的方法，包括：
提供一个基板，所述基板具有第一侧面、第二侧面以及接合到第一侧面且具有初始厚度的半导体层；
对子孔径材料去除区域之内的半导体层进行抛光；
测量半导体层的中间厚度；
利用测得的半导体层的厚度来修改抛光操作以便产生厚度基本上均匀的半导体层；以及
其中基板第一侧面的表面起伏度比接合于其上的半导体层的初始厚度大至少一个量级。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，测量是与抛光同时执行的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
