[发明专利]具有励磁导线的微电子设备

权利要求书

1、一种用于操控样本的微电子设备(100，200，300，400，500)，其包括：

a)样本室(10)；

b)至少一个电极，其被称为B/E电极(21，22)；

c)控制电路(41，42，43，44)，其耦合到所述B/E电极(21，22)并适于选择性地以下列模式对它进行控制：

(i)“磁化模式”，在该磁化模式下，所述B/E电极在所述样本室(10)中产生磁场(B)，以及

(ii)“电模式”，在该电模式下，所述B/E电极在所述样本室(10)中产生电场(E)。

2、根据权利要求1所述的微电子设备(100，200，300，400，500)，其特征在于，所述设备包括至少一个第二电极，其被称为E电极(21，22，23，24)，并且所述B/E电极(21，22)与所述E电极协作在所述电模式下产生所述电场(E)。

3、根据权利要求1所述的微电子设备(100，200，300，400，500)，其特征在于，所述设备包括至少一个用于对源自所述样本室(10)的磁场进行检测的磁传感器元件，尤其是霍尔传感器或磁电阻元件(31)，所述磁电阻元件(31)例如是GMR、TMR或AMR元件。

4、根据权利要求1所述的微电子设备(100，200，300，400，500)，其特征在于，可以同时执行所述磁化模式和所述电模式。

5、根据权利要求1所述的微电子设备(100，200，300，400，500)，其特征在于，所述电场(E)和/或所述磁场(B)的梯度至少在所述样本室(10)内部的某处不为零。

6、根据权利要求1所述的微电子设备(100，200，300，400，500)，其特征在于，在所述电模式下产生的所述电场(E)能够诱发所述样本室(10)中的流体的流动和/或颗粒的运动。

7、根据权利要求2所述的微电子设备(100，200，300，400，500)，其特征在于，所述E电极(21，22)可以用作B/E电极。

8、根据权利要求1所述的微电子设备(100，200，300，400，500)，其特征在于，所述设备包括处理单元阵列，每个处理单元包括至少一个B/E电极(21，22)。

9、根据权利要求8所述的微电子设备，其特征在于，所述处理单元的每个B/E电极在其电模式下还可以充当另一B/E电极的对电极。

10、根据权利要求1所述的微电子设备(100，200，300，400，500)，其特征在于，所述控制电路包括至少一个开关(41)，用于选择性地将所述B/E电极(21，22)耦合到不同的电源，具体而言耦合到电流源(43)和电压源(42)。

11、根据权利要求1所述的微电子设备(400)，其特征在于，所述B/E电极(21，22)和假负载电阻(R)并联连接到电流源(43)，并且所述控制电路包括至少一个开关(41)，用于选择性地经由所述B/E电极(21，22)或所述假负载电阻(R)闭合通往所述电流源(43)的电路。

12、根据权利要求2所述的微电子设备(200，300)，其特征在于，所述设备包括至少一个不能用作B/E电极的E电极(23，24)。

13、根据权利要求2所述的微电子设备(200，300)，其特征在于，所述设备包括至少两个额外的E电极(23，24)，并且所述控制电路适于在“额外的电模式”下控制它们，使得它们协作地在所述样本室(10)中产生电场(E)。

14、根据权利要求1所述的微电子设备(300)，其特征在于，所述样本室(10)包括缓冲剂区域(13)，所述缓冲剂区域(13)基本在由所述B/E电极(21，22)产生的所述磁场(B)的作用范围以外。

15、根据权利要求14所述的微电子设备(300)，其特征在于，所述设备包括额外的电极(23，24)，其用于单独在所述缓冲剂区域(13)中产生电场，或者与所述B/E电极(21，22)协作在所述缓冲剂区域(13)中产生电场。