[发明专利]太阳能电池用密封膜和使用该密封膜的太阳能电池有效
| 申请号: | 200680048445.0 | 申请日: | 2006-12-22 |
| 公开(公告)号: | CN101341598A | 公开(公告)日: | 2009-01-07 |
| 发明(设计)人: | 片冈央尚 | 申请(专利权)人: | 株式会社普利司通 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;C09K3/10 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 密封 使用 | ||
技术领域
本发明涉及以乙烯-醋酸乙烯酯共聚物为主成分的太阳能电池用密封膜和使用该密封膜的太阳能电池,特别是涉及防黄变性优异的太阳能电池用密封膜和太阳能电池。
背景技术
近年来,从资源的有效利用和防止环境污染等方面出发,将太阳光直接转换为电能的太阳能电池受到瞩目,正在进行开发。
太阳能电池通常如图1所示,其结构为:在作为表面侧透明保护部件的玻璃基板1与里面侧保护部件(后罩)2之间,通过EVA(乙烯-醋酸乙烯酯共聚物)薄膜的密封膜3A、3B,密封硅发电元件等太阳能电池用单元4。另外,以下,将相对于单元配置于受光面侧的密封膜称为“表面侧密封膜”,将配置于单元的后方侧的密封膜称为“里面侧密封膜”。
这样的太阳能电池如下制造:按照玻璃基板1、表面侧密封用EVA薄膜3A、硅发电元件4、里面侧密封用EVA薄膜3B和后罩2的顺序层叠,加热加压,使EVA交联固化并粘合一体化。
上述太阳能电池中,从提高发电效率方面出发,强烈期望将入射到太阳能电池中的光尽量有效地纳入太阳能电池用单元内。因此,期望密封用EVA薄膜尽量具有高的透明性、且不吸收或反射所入射的太阳光、使大部分太阳光透过。进而在长期使用太阳能电池时,由于光、热的影响,密封用EVA薄膜黄变,可看到太阳光的透过率降低的现象以及由该黄变导致外观不良的问题。
为了防止这样的黄变,在密封用EVA薄膜中使用各种紫外线吸收剂、光稳定剂等。例如,在专利文献1(日本特开平7-169986号公报)中,作为有机过氧化物(交联剂)使用过氧化酯系的过氧化物、即2,5-二甲基-2,5-二(过氧化叔丁基)己烷,作为紫外线吸收剂使用单羟基烷氧基二苯甲酮系的2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮。此外,在专利文献2(日本特开2000-183381号公报)中,作为有机氧化物使用1,1-双(过氧化叔丁基)3,3,5-三甲基环己烷,作为紫外线吸收剂使用与上述相同的2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮。
专利文献1:日本特开平7-169986号公报
专利文献2:日本特开2000-183381号公报
发明内容
发明要解决的问题
根据本发明人的研究,明确了目前通常使用的紫外线吸收剂或光稳定剂在与其他紫外线吸收剂并用时,有时对防止黄变带来不良影响。本发明人反复进一步研究,还发现带来上述不良影响的紫外线吸收剂等的种类因所使用的有机过氧化物的种类而不同。
因此,本发明的目的在于解决上述目前的问题、提供耐光性、耐热性提高的太阳能电池用密封膜。
此外,本发明的目的在于,提供使用了上述太阳能电池用密封膜的耐光性、耐热性提高的太阳能电池。
解决问题的方法
上述目的可通过如下来实现:
太阳能电池用密封膜,该太阳能电池用密封膜包含乙烯/醋酸乙烯酯共聚物和有机过氧化物(交联剂),其特征在于, 作为该有机过氧化物,包含下述式I:
[化学式1]
[其中,R1表示碳原子数3~5的支链烷基,而且R2表示碳原子数6~9的支链烷基。]
所示的过氧化酯,且为了防止黄变而含有二羟基二甲氧基二苯甲酮系紫外线吸收剂,基本上不含有受阻胺系光稳定剂;和,
太阳能电池用密封膜,该太阳能电池用密封膜包含乙烯/醋酸乙烯酯共聚物和有机过氧化物(交联剂),其特征在于,
作为该有机过氧化物,含有下述式II:
[化学式2]
[其中,R3各自独立表示碳原子数1~3的烷基,R4表示碳原子数3~5的支链烷基,而且R5表示碳原子数3~5的支链烷基。]
所示的二烷基过氧化物,且为了防止黄变而含有二羟基二甲氧基二苯甲酮系紫外线吸收剂,基本上不含有单羟基烷氧基二苯甲酮系紫外线吸收剂。
以下列示本发明的太阳能电池用密封膜的优选的形态。
(1)式I中,R1表示叔丁基,而且R2表示2-乙基己基。
(2)上述受阻胺系光稳定剂为双(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯。基本上不使用的量是指:相对于100质量份乙烯/醋酸乙烯酯共聚物,不足0.1质量份(特别是不足0.01质量份)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





