[发明专利]背接触式光伏电池

权利要求书

1.一种光伏电池，其包括：

包含第一导电型的半导体材料的晶片，所述晶片包括第一光接收表面和与该第一表面相对的第二表面；

位于所述晶片第一表面上方的第一钝化层；

位于所述晶片第二表面上方的第二钝化层；

包含位于所述晶片第二表面上方的通过所述第二钝化层烧穿的激光烧穿的点接触的具有导电型的第一电接触；

包含位于所述晶片第二表面上方的激光烧穿的点接触的具有与所述第一电接触的导电型相反的导电型的第二电接触，其与所述第一电接触电分离；并且

其中，所述第一电接触或所述第二电接触具有与所述晶片的导电型相反的导电型。

2.如权利要求1所述的光伏电池，其中所述半导体晶片包含掺杂的单晶硅或掺杂的多晶硅。

3.如权利要求2所述的光伏电池，其中所述第一钝化层包含氢化非晶硅、氢化微晶硅或其组合。

4.如权利要求3所述的光伏电池，其中所述第一钝化层包含氮化硅。

5.如权利要求1所述的光伏电池，其包括与所述第一电接触的或者所述第二电接触的所述激光烧穿的点接触相邻近的发射区，其中所述激光烧穿的点接触进入所述晶片的第二表面。

6.如权利要求1所述的光伏电池，其包括与所述第一电接触的或者所述第二电接触的所述激光烧穿的点接触相邻近的欧姆区，其中所述激光烧穿的点接触进入所述晶片的第二表面。

7.如权利要求1所述的光伏电池，其中所述激光烧穿的点接触通过穿过绝缘层来激光烧穿金属层形成。

8.如权利要求1所述的光伏电池，其中一个所述激光烧穿的点接触包含与锑或磷中的一种或多种形成合金的锡。

9.如权利要求1所述的光伏电池，其中所述晶片具有扩散长度且所述扩散长度与所述晶片厚度的比值大于1.1。

10.一种从第一导电型的半导体晶片制造光伏电池的方法，所述光伏电池含有第一光接收表面和与第一表面相对的第二表面，该方法包括：

在所述晶片第一表面的上方形成第一钝化层；

在所述晶片第二表面的上方形成第二钝化层；

在第二钝化层的上方形成电接触材料的第一层；

形成从电接触材料的第一层穿过第二钝化层并至晶片内的多个激光烧穿的点接触；

在电接触材料的第一层中形成多个开口，所述开口穿过所述第二钝化层；

在电接触材料的第一层的上方形成绝缘材料层，所述绝缘材料层进入多个开口中，并形成填充的开口；

在绝缘材料层的上方形成电接触材料的第二层；

形成从电接触材料的第二层穿过填充的开口并至晶片内的多个激光烧穿的点接触。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述激光烧穿的点接触通过穿过绝缘层来激光烧穿金属层形成。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述第一和第二钝化层包含氮化硅。

13.如权利要求10所述的方法，其中所述电接触材料包含锡。

14.如权利要求10所述的方法，其中所述半导体晶片包含掺杂的单晶硅或掺杂的多晶硅。

15.如权利要求1所述的光伏电池，其中：

所述晶片的所述第一导电型是p型；

所述第一电接触的所述导电型是n型；

所述第二电接触的所述导电型是p型。