[发明专利]纳米级电子开关器件的控制层

权利要求书

1.一种用于纳米级电子开关器件(10)的接点的控制层 (26，26’，28，28’，28”)，该控制层(26，26’，28，28’，28”)包括与连接层(16) 和该纳米级开关器件(10)的至少一个电极(12，14)化学兼容的材料， 该控制层(26，26’，28，28’，28”)经调整可控制器件(10)操作期间电化 学反应途径、电物理反应途径，以及它们的组合中的至少一种，且该控 制层(26，26’，28，28’，28”)选自银、CuI₂、Pt(OH)₂、CuCl₂、铜和它们的 组合。

2.一种纳米级电子开关器件(10)，包括：

至少一种底电极(14)；

至少一种顶电极(12)，该至少一种顶电极(12)以非零角度交叉 该至少一种底电极(14)而形成接点；

至少一个连接层(16)可操作地位于接点内，该至少一个连接层(16) 经调整可通过电化学反应途径、电物理反应途径，以及它们的组合中的 至少一种来促进电子转换；以及

至少一个控制层(26，26’，28，28’，28”)，其设置在该至少一个连接 层(16)与该至少一种顶电极(12)与该至少一种底电极(14)中至少 一者之间，该至少一个控制层(26，26’，28，28’，28”)经调整可控制器件 (10)操作期间电化学反应途径、电物理反应途径，以及它们的组合中 的至少一种，且该至少一个控制层(26，26’，28，28’，28”)选自银、CuI₂、 Pt(OH)₂、CuCl₂、铜和它们的组合。

3.权利要求2中定义的纳米级电子开关器件(10)，其中该至少一 个连接层(16)是选自Ag₂S、聚苯胺、硬脂酸镉、硫化铜、硒化锗、硒 化锗银、氧化铂、Ti₃O₅、Ti_xO_y，其中2y/x不为整数、碳化钛、Al_xO_y、 其中x不为2且y不为3、Ag_xO_y，其中x不为2且y不为1、WO、 W_xO_y，其中y不为2或3、除TaO₂和Ta₂O₅之外的Ta_xO_y、C₁₆H₃₂O₂、 C₁₇H₃₄O₂、C₁₈H₃₆O₂、C₁₉H₃₈O₂、C₂₀H₄₀O₂、C₂₁H₄₂O₂、C₂₂H₄₄O₂、 C₁₄H₁₂Cl₂N₄O₂、C₁₅H₁₆N₂O₃、和它们的组合。

4.权利要求2和3中任一个定义的纳米级电子开关器件(10)，其 中该控制层(26，26’，28，28’，28”)起到用作至少一个连接层(10)的材 料的介体的作用，其中该材料选自掺杂剂、金属离子、金属，和它们的 组合。

5.权利要求2和3中任一个定义的纳米级电子开关器件(10)，其 中该控制层(26，26’，28，28’，28”)起到用作至少一个连接层(16)的离 子源的作用。

6.权利要求2和3中任一个定义的纳米级电子开关器件(10)，其 中该控制层(26，26’，28，28’，28”)起到用作至少一个连接层(16)的掺 杂剂源或宿的作用。