[发明专利]具有定时信息的反向耦合效应

权利要求书

1.一种用于操作非易失性存储装置的方法，其包括：

存取针对一组数据定制的经存储的定时信息，所述组数据存储在一个或一个以上 非易失性存储元件中，所述定时信息包括在所述一个或一个以上非易失性存储元件 与一个或一个以上邻近非易失性存储元件之间的编程顺序的指示；及

从所述一个或一个以上非易失性存储元件读取所述组数据，包括基于所述定时信 息来选择性补偿所述组数据中的一个或一个以上电位错误。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述一个或一个以上电位错误是归因于所述一个或一个以上非易失性存储元件 与所述一个或一个以上邻近非易失性存储元件之间的电位耦合，所述一个或一个以 上非易失性存储元件与第一字线相关联，所述定时信息存储在一个或一个以上标头 非易失性存储元件中，所述一个或一个以上标头存储元件与所述第一字线相关联， 所述一个或一个以上邻近非易失性存储元件与第二字线相关联，仅使用涉及所述第 一字线的单个读取操作来确定所述编程顺序。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述选择性补偿一个或一个以上电位错误包括： 感测所述一个或一个以上邻近非易失性存储元件；

基于从所述一个或一个以上邻近非易失性存储元件感测的信息，确定所述一个或 一个以上非易失性存储元件的读取电压偏移量；及

使用所述读取电压偏移量来读取所述一个或一个以上非易失性存储元件。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述存取及读取包括：

从连接到第一字线的存储器元件读取所述组数据，所述存储器元件包括所述一个 或一个以上非易失性存储元件及存储所述定时信息的额外非易失性存储元件，所述 定时信息包括第一值及第二值，所述第一值指示相对于所述一个或一个以上邻近非 易失性存储元件的第一组邻近者编程所述一个或一个以上非易失性存储元件的定 时，所述第二值指示相对于所述一个或一个以上邻近非易失性存储元件的第二组邻 近者编程所述一个或一个以上非易失性存储元件的定时；

如果所述第一值指示所述一个或一个以上非易失性存储元件是在所述第一组邻 近者之后予以编程，且所述第二值指示所述一个或一个以上非易失性存储元件是在 所述第二组邻近者之后予以编程，则报告所述组数据，而不补偿一个或一个以上电 位错误；及

如果所述第一值指示所述一个或一个以上非易失性存储元件可能是在所述第一 组邻近者之前予以编程，或所述第二值指示所述一个或一个以上非易失性存储元件 可能是在所述第二组邻近者之前予以编程，则在补偿一个或一个以上电位错误之后 报告所述组数据。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

将所述组数据编程到所述一个或一个以上非易失性存储元件的第一组，并 将所述定时信息编程到所述一个或一个以上非易失性存储元件的第二组。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述选择性补偿包括：如果所述定时信息指示所述一个或一个以上非易失性存储 元件是在编程一个或一个以上邻近非易失性存储元件之前予以编程，则对所述一个 或一个以上非易失性存储元件与所述一个或一个以上邻近非易失性存储元件之间 的耦合执行第一补偿过程。

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述选择性补偿包括基于所述定时信息选择是否使用电压偏移量。

8.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述定时信息包括两位代码，所述两位代码指示所述组数据是否是经擦除数据、 继编程邻近字线之后编程的数据或可能在编程邻近字线之前编程的数据。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述组数据包括一页数据；

所述一个或一个以上非易失性存储元件连接到第一字线；及

所述一个或一个以上电位错误归因于所述一个或一个以上非易失性存储元件中 的一者或一者以上与连接到邻近所述第一字线的字线的一个或一个以上非易失性 存储元件之间的耦合。