[发明专利]具有传导性阻挡层和箔基底的光生伏打器件无效

专利信息
申请号: 200680034955.2 申请日: 2006-08-16
公开(公告)号: CN101268608A 公开(公告)日: 2008-09-17
发明(设计)人: C·R·莱德霍尔姆;B·博尔曼;J·R·希茨;S·考;M·R·罗施希尔森 申请(专利权)人: 纳米太阳能公司
主分类号: H02N6/00 分类号: H02N6/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 任宗华
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 传导性 阻挡 基底 光生伏打 器件
【权利要求书】:

1.一种方法,它包括:

提供基底;和

在基底上形成吸收剂层。

2.一种方法,它包括:

提供由至少一种导电铝箔基底组成的基底、至少一层导电扩散阻挡 层和在该扩散阻挡层上的至少一层导电的电极层,其中扩散阻挡层防止 铝箔基底和电极层之间的化学相互作用;和

在基底上形成吸收剂层。

3.权利要求2的方法,其中吸收剂层包括非硅的吸收剂层。

4.权利要求2的方法,其中吸收剂层包括无定形硅的吸收剂层。

5.权利要求2的方法,其中吸收剂层包括选自由下述组成的组中 的一种或更多种无机材料:氧化钛(TiO2)、纳米晶体TiO2、氧化锌(ZnO)、 氧化铜(CuO或Cu2O或CuxOy)、氧化锆、氧化镧、氧化铌、氧化锡、氧 化铟、氧化锡铟(ITO)、氧化钒、氧化钼、氧化钨、氧化锶、氧化钙/钛 和其他氧化物、钛酸钠、铌酸钾、硒化镉(CdSe)、硫化镉(CdS)、硫化 铜(Cu2S)、碲化镉(CdTe)、硒化镉-碲(CdTeSe)、硒化铟铜(CuInSe2)、 氧化镉(CdOx)、CuI、CuSCN、半导体材料或上述的任何结合物。

6.权利要求2的方法,其中吸收剂层包括选自由下述组成的组中 的一种或更多种有机材料:共轭聚合物,聚(亚苯基)及其衍生物、聚(亚 苯基亚乙烯基)及其衍生物(例如,聚(2-甲氧基-5-(2-乙基-己氧 基)-1,4-亚苯基亚乙烯基(MEH-PPV)、聚(对亚苯基-亚乙烯基)、(PPV))、 PPV共聚物、聚(噻吩)及其衍生物(例如聚(3-辛基噻吩-2,5-二基)、区 域规则、聚(3-辛基噻吩-2,5-二基)、区域无规、聚(3-己基噻吩-2,5- 二基)、区域规则、聚(3-己基噻吩-2,5-二基)、区域无规)、聚(亚噻吩 基亚乙烯基)及其衍生物,和聚(异硫茚)及其衍生物、2,2`,7,7`-四 (N,N-二对甲氧基苯基胺)-9,9`-螺双芴(螺-Me OTAD)、有机金属聚合 物,含有苝单元的聚合物、聚(squara ines)及其衍生物,和盘状液晶、 有机颜料或染料、钌基染料、液体碘化物/三碘化物电解质、具有连接 芳族基团的偶氮生色团(-N=N-)的偶氮染料、酞菁,其中包括不含金属 的酞菁;(HPc)、苝、苝衍生物、酞菁铜(CuPc)、酞菁锌(ZnPc)、 naphthalocyanine、squaraines、部花青和它们各自的衍生物、聚(硅 烷)、聚(germinate)、2,9-二(戊-3-基)-蒽[2,1,9-def:6,5,10-d`e`f`] 二异喹啉-1,3,8,10-四酮和2,9-双(1-己基-庚-1-基)-蒽 [2,1,9-def:6,5,10-d`e`f`]二异喹啉-1,3,8,10-四酮和并五苯、并五 苯衍生物和/或并五苯前体,N-型梯状聚合物、聚(苯并咪唑基苯并菲咯 啉梯)(BBL)或上述的任何结合物。

7.权利要求2的方法,其中吸收剂层包括选自由下述组成的组中 的一种或更多种材料:低聚物材料、微晶硅、在有机基体内分散的无机 纳米棒、在有机基体内分散的无机四脚锥体、量子点(quantum dot)材 料、离子传导性聚合物凝胶、含离子液体的溶胶-凝胶纳米复合材料、 离子导体、低分子量的有机空穴导体、C60和/或其他小分子,或上述的 结合物。

8.权利要求2的方法,其中吸收剂层包括下述中的一种:具有孔 隙被有机材料填充的无机多孔模板的纳米结构层(掺杂或未掺杂)、聚合 物/共混物电池结构、微晶硅电池结构,或上述的结合物。

9.权利要求2的方法,其中形成步骤包括首先形成新生的吸收剂 层。

10.权利要求3的方法,它进一步包括使新生的吸收剂层反应,形 成致密膜。

11.权利要求2的方法,它进一步包括加热新生的吸收剂层,形成 致密膜。

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