[发明专利]批式沉积工具及压缩晶舟

权利要求书

1.一种位于一批式处理室中的压缩晶舟，其包含：

第一晶舟，配置用以接受与支撑多个基材于多个第一平行平面上；

第二晶舟，配置用以接受与支撑多个基材于多个第二平行平面上；以及

连接机构，配置用以可活动地连接该第一晶舟与该第二晶舟，以及在开启状态与关闭状态之间移动该压缩晶舟；

其中，在该关闭状态中，所述第一平行平面与所述第二平行平面相互交错穿插；以及于该开启状态中，该第一晶舟与第二晶舟独立地装载与卸载。

2.如权利要求1所述的压缩晶舟，其中该连接机构包含一枢轴。

3.如权利要求2所述的压缩晶舟，其中该枢轴包含一陶瓷轴承

4.如权利要求1所述的压缩晶舟，其中该第一与第二晶舟各自包含：

顶盘；

底盘；以及

至少三支撑杆，每一支撑杆具有多个支撑手指；

其中，该顶盘与该底盘藉由该至少三支撑杆而连接，所述支撑手指定义出相应的多个平行平面，每个平行平面用以接收并支撑一基材于其上，且该至少三支撑杆是配置在支撑于其内的该基材直径的一侧中。

5.如权利要求4所述的压缩晶舟，其中该第一与该第二晶舟的所述支撑手指配置成与该基材于接近周长处有至少三点接触，且该至少三点形成介于190度至约200度间的弧形。

6.如权利要求4所述的压缩晶舟，更包括多个基座，所述基座连接至该至少三支撑杆。

7.一种用于处理半导体基材的批式处理系统，其包括：

第一晶舟与第二晶舟，分别配置用以接收并支撑至少两基材；

负载锁定室；

处理室，定义出一处理容积；

缓冲室，选择性地与该负载锁定室及该处理室流体连通；以及

支撑机构，其至少部份地设置在该缓冲室中，且耦合至该第一与第二晶舟；

其中，该支撑机构是配置用以在该负载锁定室、该处理室与该缓冲室之间传送该第一与第二晶舟。

8.如权利要求7所述的批式处理系统，该支撑机构更包括：

举升机构，配置用以将该第一与第二晶舟分别插入该负载锁定室与该处理室，以及将该第一与第二晶舟移出该负载锁定室与该处理室；以及

交换机构，配置用以于该缓冲室中交换该第一与该第二晶舟之间的位置。

9.如权利要求8所述的批式处理系统，其中该支撑机构是一旋转盘，该旋转盘具有一举升件。

10.如权利要求7所述的批式处理系统，其中该第一与第二晶舟是压缩晶舟，且各自包括：

第一晶舟，配置用以接收并支撑多个基材于多个第一平行平面上；

第二晶舟，配置用以接收并支撑多个基材于多个第二平行平面上；以及

连接机构，配置用以可活动地连接该第一晶舟与该第二晶舟，并且于开启状态与关闭状态之间移动该压缩晶舟；

其中，在该关闭状态中所述第一平行平面与所述第二平行平面相互交错穿插；以及于该开启状态中该第一与第二晶舟能独立地装载与卸载。

11.如权利要求10所述的批式处理系统，其中该连接机构包含一枢轴。

12.一种批式处理的方法，包括：

于负载锁定室中装载一组未处理的基材至第一晶舟内；

将具有该组未处理基材的该第一晶舟从该负载锁定室传送至缓冲室，同时将具有一组已处理基材的第二晶舟传送出处理室；

传送该第一晶舟至该处理室中且传送该第二晶舟至该负载锁定室中；以及

从该第二晶舟卸载该组已处理基材，同时于该处理室中处理该组未处理基材。

13.如权利要求12所述的方法，更包括重复所有步骤。

14.如权利要求12所述的方法，更包括于该缓冲室中交换该第一晶舟与该第二晶舟的位置。