[发明专利]激光器波长的稳定

权利要求书

1.一种操作半导体激光器装置的方法，包括：

在第一操作温度范围上的温度控制下，操作所述半导体激光器装 置；和

在第二操作温度范围上的不进行温度控制下，操作所述半导体激 光器装置。

2.一种操作半导体激光器装置的方法，包括：

在第一操作温度范围上的温度控制下，操作所述半导体激光器装 置；和

在第二操作温度范围上的不进行温度控制下，操作所述半导体激 光器装置，其中，所述第二操作温度范围，包括比所述第一操作温度 范围更宽的温度范围。

3.按照权利要求2的操作半导体激光器装置的方法，其中所述 第二操作温度范围的最低温度，超过所述第一操作温度范围的最高温 度。

4.按照权利要求2的操作半导体激光器装置的方法，其中当所 述半导体激光器装置的温度在所述第二操作温度范围中时，所述半导 体激光器装置被点亮，又当所述半导体激光器装置的温度在所述第一 操作温度范围中时，所述半导体激光器装置被熄灭。

5.按照权利要求2的操作半导体激光器装置的方法，其中所述 第一操作温度范围，包括从约-40℃到约0℃的范围。

6.按照权利要求2的操作半导体激光器装置的方法，其中所述 第一操作温度范围，包括从约0℃到约85℃的范围。

7.一种增宽半导体激光器装置有效操作温度范围的方法，包括：

读取所述半导体激光器装置被感测的温度；和

当所述被感测温度小于某一阈值温度时，预热所述半导体光源， 以便协调所述半导体激光器装置的光栅峰值与所述半导体激光器装 置的增益范围。

8.按照权利要求7的增宽半导体激光器装置有效操作温度范围 的方法，其中所述阈值温度包括约0℃的温度。

9.按照权利要求7的增宽半导体激光器装置有效操纵温度范围 的方法，其中所述有效操作温度范围，包括从约-40℃到约85℃的 范围。

10.按照权利要求7的增宽半导体激光器装置有效操纵温度范围 的方法，其中所述读取被感测的温度，包括从热敏电阻接收信号，所 述热敏电阻与所述半导体激光器装置热耦合。

11.按照权利要求7的增宽半导体激光器装置有效操纵温度范围 的方法，其中所述感测被感测的温度，包括从热电偶接收信号，所述 热电偶与所述半导体激光器装置热耦合。

12.按照权利要求7的增宽半导体激光器装置有效操纵温度范围 的方法，其中所述半导体激光器装置，包括分布反馈模式的激光器装 置。

13.一种半导体激光器系统，包括：

半导体激光器装置，所述半导体激光器装置有第一光栅特性和第 二材料增益特性；

加热器，所述加热器与所述半导体激光器装置热耦合；

温度传感器，所述温度传感器用信令方法与所述加热器耦合，所 述温度传感器适合响应所述半导体激光器装置的温度，控制所述加热 器的启动，以便在某一阈值温度上实现所述光栅特性与所述材料增益 特性的最小协调，在该阈值温度上，所述半导体激光器装置适合在某 一温度范围上操作，所述温度范围位于所述阈值温度之上。

14.按照权利要求13的半导体激光器系统，其中所述温度传感 器包括热敏电阻。

15.按照权利要求13的半导体激光器系统，其中所述温度传感 器包括热电偶。

16.按照权利要求13的半导体激光器系统，其中所述温度传感 器包括光学温度传感器。

17.按照权利要求13的半导体激光器系统，其中所述阈值温度 包括约0℃的温度。

18.按照权利要求13的半导体激光器系统，其中所述阈值温度 包括从约-5℃到约5℃范围内的温度。