[发明专利]用于等离子体处理设备的等离子体增强器

权利要求书

1.一种装置，用于使辉光放电等离子体增强和/或点火以处理，尤其是涂覆工件，具有至少一个由导电材料制成的空心体，其中空心体的空腔这样构造，使得在将电信号施加到空心体上时，至少在特定的压力范围和电压范围里，满足了在空心体内部进行放电点火的几何条件，并且空心体包括至少一个开口，通过该开口，载荷子可以流入到所述装置的周围里，以便在那里能够使等离子体实现点火和运行，或者增强在那里存在的等离子体，其特征在于，所述装置包括使空心体与工件电连接的机构，从而使空心体基本上处于工件电位。

2.按权利要求1所述的装置，其特征在于，空心体固定在用于安放工件支架(4)的转盘机构(9)上。

3.按权利要求1所述的装置，其特征在于，所述几何条件对于压力范围在1×10^-3至5×10^-2mbar之间，优选在4×10^-3至2×10^-2mbar之间得到满足。

4.按权利要求1所述的装置，其特征在于，所述几何条件对于电压范围在200至2000V之间，优选在400至1200V之间的电信号得到满足。

5.按权利要求3所述的装置，其特征在于，电信号是直流电压信号、交流电压信号，尤其是在中频范围里的双极或单极脉冲的交流电压信号。

6.按权利要求1所述的装置，其特征在于，空心体具有高度为h和横截面，该横截面具有至少一个几何特征参数d，其中横截面的形状为圆形、椭圆形、多边形或由不同几何形状组合成的形状，并且空心体包括至少一个在高度h上延伸的侧面。

7.按权利要求6所述的装置，其特征在于，空心体在上面和/或下面通过栅网遮盖。

8.按权利要求6所述的装置，其特征在于，空心体的侧面在其高度h上具有多个开口或切槽。

9.按权利要求6所述的装置，其特征在于，空心体的至少一个侧面包括栅网或者平行的丝线或杆，或者基本上由栅网或者平行的丝线或杆组成。

10.按权利要求6所述的装置，其特征在于，空心体包括多个重叠布置的圆环、椭圆环、多边形环或组合几何形状的环，其中这些环布置成间距a，该间距足够小，以避免在环之间产生中空放电点火。

11.按权利要求10所述的装置，其特征在于，间距a在特定的压力范围和电压范围里小于阴极降，尤其在1至60mm之间，优选在5至25mm之间。

12.按权利要求10所述的装置，其特征在于，所述环构造成具有容纳座(7)的工件支架，其中容纳座(7)或工件(8)相互以间距b进行布置，该间距b足够小，以避免在工件容纳座(7)或工件(8)之间产生中空放电点火。

13.按权利要求12所述的装置，其特征在于，间距a和/或b在特定压力范围和电压范围里小于阴极降，尤其在1至60mm之间，优选在5至25mm之间。

14.按权利要求6或12所述的装置，其特征在于，间距d在特定压力范围或电压范围里小于或等于双倍的阴极降，但大于或等于一倍的阴极降，尤其是在20至200mm之间，优选在60和100mm之间。

15.真空处理设备，用于等离子体处理，尤其用于工件的等离子体涂覆，其特征在于，它包括按照上述权利要求之一所述的装置。

16.按权利要求14所述的真空处理设备，其特征在于，该设备包括附加的磁场产生装置，它作用于空心阴极放电间隙上，或者增强等离子体。

17.按权利要求16所述的真空处理设备，其特征在于，磁场产生装置可以产生磁场13，该磁场垂直地作用于空心阴极放电间隙上。

18.真空处理方法，其特征在于，应用按照权利要求1至14之一所述的装置，用于使等离子体点火和保持运行，或者用于增强已有的等离子体。

19.按权利要求18所述的真空处理方法，其特征在于，应用所述装置，以激励或分裂用于等离子体CVD过程或用于组合的PVD/CVD过程的反应气体或母体。