[发明专利]非晶质透明导电膜、靶和非晶质透明导电膜的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及非晶质透明导电膜、靶和非晶质透明导电膜的制造方法。

背景技术

近年来，显示装置的发展受人注目，液晶显示装置或EL显示装置等各种显示装置已被活跃地引入个人计算机或文字处理机等OA设备。这些显示装置均具有用透明导电膜将显示元件夹入的夹层结构。

作为透明导电膜，铟锡氧化物膜(ITO膜)现在已占了主流。这是因为ITO膜的高透明性、低电阻性以及在基板上的附着性等良好。该ITO膜通常采用溅射法制作。

但是，ITO膜由于在蚀刻中使用强酸，在是其他膜、或底层的结构物，例如薄膜晶体管型液晶显示装置(TFT-LCD)的场合，具有对栅极线、源极一漏极线中使用的Al等配线产生损害的难点。另一方面，进行了在低温下使ITO膜进行非晶成膜从而使其可以在弱酸下蚀刻的尝试，但ITO膜在非晶状态下电阻增高，而且进行ITO非晶成膜的溅射的条件控制非常难，成为制造工序上的问题。

针对该课题，专利文献1中公开了由氧化铟和氧化锌组成的溅射靶。此外，专利文献2中公开了由氧化铟和氧化锌组成的非晶质透明导电膜。

该非晶质透明导电膜富于用弱酸进行的蚀刻加工性，显示出无蚀刻残渣的良好特性，但由于其非晶质性，已知导电膜的表面将成为具有高电阻的层的薄膜。

由于其表面高电阻层的存在，有可能产生在与用于连接TFT-LCD基板和外部电路的各向异性导电膜(ACF)或检查用探针之间产生接触电阻等的问题。

专利文献1：特开平6-234565号公报

专利文献2：特开平7-235219号公报

发明内容

本发明正是鉴于上述问题而提出的发明，其目的在于，提供导电膜表面的电阻层的电阻小、导电性高的非晶质透明导电膜及其制造方法。

本发明人等为了解决上述课题进行了锐意研究，其结果发现：在以氧6配位的金属氧化物为主要成分的非晶质透明导电膜中，当其矢径分布函数(RDF)满足一定要件时，或者当在X射线电子分光测定(XPS)中在起因于氧2p轨道的价电子带峰和起因于传导带电子的峰之间(带隙间)不含有峰成分时，能够降低非晶质透明导电膜表面所具有的电阻层的电阻值，从而完成了本发明。

根据本发明，能够提供以下的非晶质透明导电膜及其制造方法。

1.非晶质透明导电膜，是以氧6配位的金属氧化物为主要成分的非晶质透明导电膜，其中，在上述非晶质透明导电膜的采用X射线散射测定求出的矢径分布函数(RDF)中，当将原子间距离为0.30nm～0.36nm间的RDF的最大值记为A，将原子间距离为0.36nm～0.42nm间的RDF的最大值记为B时，满足A/B>1的关系。

2.上述1所述的非晶质透明导电膜，其中，将原子间距离为0.18nm～0.26nm间的RDF的最大值记为C时，还满足A/C>2.8的关系。

3.非晶质透明导电膜，是以氧6配位的金属氧化物作为主要成分的非晶质透明导电膜，其中，在X射线光电子分光测定(XPS)中起因于上述非晶质透明导电膜的氧2p轨道的价电子带峰与起因于传导带电子的峰之间(带隙间)不含有峰成分。

4.上述1～3的任一项所述的非晶质透明导电膜，其中，上述主成分的氧6配位的金属氧化物为氧化铟，还含有氧化锌。

5.上述4所述的非晶质透明导电膜，其中，上述氧化铟在非晶质透明导电膜中所占的比例为70～95质量％。

6.上述1～5的任一项所述的非晶质透明导电膜，其中，上述非晶质透明导电膜还含有正三价以上的金属氧化物。

7.靶，其将使氧量为金属氧化物的化学计量量以下的氧6配位的金属氧化物作为主成分。

8.上述1～6的任一项所述的非晶质透明导电膜的制造方法，其中，具有使用上述7所述的靶，使溅射体系内的水的分压为1×10^-4Pa以下进行溅射的工序。

9.上述1～6的任一项所述的非晶质透明导电膜的制造方法，其具有：使用以氧6配位的金属氧化物为主要成分的靶，进行溅射从而形成非晶质透明导电膜的工序；和在使上述非晶质透明导电膜与大气接触前，使上述非晶质透明导电膜的表面与氢接触的工序。

根据本发明，能够提供将导电膜的表面的电阻层的电阻值降低、并且使导电性提高的非晶质透明导电膜及该透明导电膜的制造方法。

附图说明

图1为表示氧6配位金属氧化物的结构的概念图。

图2为表示实施例1中制作的非晶质透明导电膜的矢径分布函数(RDF)的图。

图3为实施例1和比较例1中制作的透明导电膜的X射线光电子分光测定的图。