[发明专利]一种聚合物分散液晶元件的形成方法、通过该方法形成的元件以及这些元件的用途无效

专利信息
申请号: 200680005164.7 申请日: 2006-01-31
公开(公告)号: CN101137929A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 增谷启;B·舒勒;A·罗伯茨;安田章夫 申请(专利权)人: 索尼德国有限责任公司
主分类号: G02F1/1334 分类号: G02F1/1334
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘锴;范赤
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 一种 聚合物 分散 液晶 元件 形成 方法 通过 以及 这些 用途
【权利要求书】:

1.一种形成聚合物分散液晶元件的方法,包括以下步骤:

a)在第一和第二衬底之间由单体和/或低聚物制备多孔聚合物基质,其中所述多孔聚合物基质的孔中填充有第一材料,优选第一液晶材料,

b)从所述多孔聚合物基质的表面分离所述第二衬底,

c)从所述多孔聚合物基质除去第一材料,

d)在所述多孔聚合物基质的表面上放置第三衬底,其中第二衬底已经在步骤b)从所述表面分离,

e)使用其为液晶的第二材料填充部分或基本上全部所述多孔聚合物基质的孔。

2.根据权利要求1的方法,其特征在于至少所述第二衬底具有与所述多孔聚合物基质充分不同的表面性质,使得所述第二衬底易于在步骤b)中分离。

3.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其特征在于所述第二衬底具有溶于第一溶剂的表面层,并且步骤b)在所述第二衬底已经浸于所述第一溶剂之后进行。

4.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其特征在于如果所述聚合基质具有基本上亲水的表面性质,则所述第二衬底具有基本上疏水的表面性质,反之亦然。

5.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其特征在于所述第二衬底具有单体溶液或低聚物溶液或如上所定义预聚物溶液的接触角,相对于所述第二衬底在0-180度,优选10-180度,更优选大于90度的接触角。

6.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其特征在于所述第二衬底具有光滑表面,优选具有不大于20微米的表面粗糙度。

7.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其特征在于所述第二衬底具有低表面能并且优选选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙酸乙烯酯(PVA)、聚苯乙烯、缩醛、乙烯基乙酸乙酯(EVA)、聚乙烯、聚丙烯、聚偏二氟乙烯(PVDF,Tedlar)、聚四氟乙烯(Teflon)、表面改性玻璃,例如硅烷化玻璃。

8.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其特征在于所述多孔聚合物基质由选自下组的材料制成:PN393预聚物、聚甲基丙烯酸酯、聚氨酯、PVA和环氧树脂。

9.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其特征在于所述第二衬底优选选自:PET、聚乙酸乙烯酯(PVA)、聚苯乙烯、缩醛、乙烯基乙酸乙酯(EVA)、聚乙烯、聚丙烯、聚偏二氟乙烯(PVDF,Tedlar)、聚四氟乙烯(Teflon),并且所述多孔聚合物基质由选自下组的材料制成:聚甲基丙烯酸酯、聚氨酯、PVA和环氧树脂。

10.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其特征在于所述步骤d)在步骤e)后进行,或者与步骤e)同时进行。

11.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其特征在于所述步骤b)在步骤c)后进行。

12.根据前述任意一项权利要求,包括权利要求10和11所述的方法,其特征在于所述步骤c)和步骤e)同时进行。

13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于所述步骤c)、步骤d)和步骤e)同时进行。

14.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其特征在于步骤c)进行以下一个或以下步骤的组合:使用溶剂洗去、蒸发、升华、降解、脱气和吸收。

15.根据权利要求14所述的方法,其特征在于所述第二溶剂能够溶解所述第一材料。

16.根据权利要求15所述的方法,其特征在于所述第二和所述第一溶剂更优选选自甲醇、丙酮、甲苯、二氯甲烷、四氢呋喃(THF)、2-丙醇、1-丙醇、水、二甲基甲酰胺(DMF)、二甲亚砜(DMSO)。

17.根据权利要求12-16中任意一项所述的方法,其特征在于在步骤c)之后溶剂进行以下步骤:

c′)干燥,优选在真空下。

18.根据权利要求17所述的方法,其特征在于干燥在20℃-200℃,优选50℃-90℃的温度范围,优选在约80℃进行。

19.根据权利要求14-18中任意一项所述的方法,其特征在于所述第一衬底经受得住在所述溶剂中的溶解。

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