[发明专利]羟烷基-官能化的填料无效
| 申请号: | 200680004018.2 | 申请日: | 2006-01-26 |
| 公开(公告)号: | CN101115794A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
| 发明(设计)人: | O·舍费尔;C·布里赫;T·戈特沙尔克-高迪希 | 申请(专利权)人: | 瓦克化学有限公司 |
| 主分类号: | C08K9/06 | 分类号: | C08K9/06;G03G15/20;C09C1/30 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 烷基 官能 填料 | ||
1.颗粒P1,在它们的表面上具有通式(II)的基团:
[O1/2SiR32-CR42-O-(CR42)b-OH] (II)
其中
R3和R4相同或不同,它们是氢基或单价的、未被取代的或由-CN-、-NCO-、-NRx2-、-COOH-、-COORX-、-PO(ORx)2-、-卤素-、-丙烯酰基-、-环氧基-、-SH-、-OH-或-CONRX2-取代的C1-C20烃基或C1-C15烃氧基,其中在每个烃氧基中一或多个不相邻的亚甲基单元可以被-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-、-S-或-NRx-基团取代,并且其中一或多个不相邻的次甲基单元可以用基团-N=、-N=N-或-P=取代;
Rx是氢基或未被取代的或由-CN-或卤素-取代的C1-C10烃基;
b是至少1的整数;
2.根据权利要求1所述的颗粒,其特征在于颗粒是包括金属氧化物、更优选二氧化硅、尤其优选热解法二氧化硅的表面-改性的颗粒,表面是由通式II的基团进行改性的。
3.根据权利要求1或2所述的颗粒,其特征在于颗粒具有小于100nm的平均原始粒径、更优选具有5到50纳米的平均原始粒径。
4.根据权利要求1、2或3所述的颗粒,其特征在于颗粒具有10到400m2/g的比表面积。
5.根据权利要求1至4任一项所述的颗粒,其特征在于颗粒具有小于或等于2.8的质量分数维Dm和小于1.5SiOH/nm2的表面硅烷醇基SiOH密度。
6.一种制备权利要求1至5所述颗粒的方法,它是通过使(a)和(b)反应来制备的:
(a)具有一表面的物质颗粒P,该表面具有选自Me-OH、Si-OH、Me-O-Me、Me-O-Si、Si-O-Si、Me-OR1或Si-OR1的基团;
(b)具有通式III的化合物和/或它们的水解、醇解或聚合产物,
其中
R3和R4是氢原子或单价的、未被取代的或由-CN-、-NCO-、-NRX2-、-COOH-、-COORX-、-PO(ORX)2-、-卤素-、-丙烯酰基-、-环氧基-、-SH-、-OH-或-CONRX2-取代的C1-C20烃基或C1-C15烃氧基,其中在每个烃氧基中一或多个不相邻的亚甲基单元可以被-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-、-S-或-NRx-基团取代,并且其中一或多个不相邻的次甲基单元可以用基团-N=、-N=N-或-P=取代;
Rx是氢或未被取代的或由-CN-或卤素-取代的C1-C10烃基;
b是至少1的整数;
n是0或整数。
7.根据权利要求6的方法,其特征在于所使用的通式III的化合物是通式IV的化合物
其中
R3、R4和b如上定义。
8.根据权利要求6或7所述的方法,其特征在于颗粒P是具有表面分数维小于或等于2.3、更优选小于或等于2.1、尤其优选1.95到2.05的热解法二氧化硅。
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