[发明专利]发光体的制造方法、发光体及发光装置无效

专利信息
申请号: 200680002723.9 申请日: 2006-01-18
公开(公告)号: CN101107341A 公开(公告)日: 2008-01-16
发明(设计)人: 金森二郎;林义定 申请(专利权)人: 茶谷产业株式会社
主分类号: C09K11/56 分类号: C09K11/56;C09K11/84;H05B33/10;H05B33/14
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光体 制造 方法 发光 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及以稀土类硫化物作为母体材料的发光体的制造方法、发光体以及使用了该发光体的发光装置。

背景技术

电致发光元件(以下称为EL元件)是利用了对物质施加电场时所产生的发光现象的发光元件,大致分为以羟基喹啉铝络合物等有机物质作为母体材料的有机EL元件和以ZnS、SrS等无机物质作为母体材料的无机EL元件。其中,无机EL元件与有机EL元件相比,持久性更优异,且可以将消耗电力抑制得较低,因此期待应用于液晶显示器装置的背光、通宵灯、应急灯等照明装置中。

作为以ZnS为母体材料的无机EL元件,已知有在母体材料中添加微量的Mn而得到的元件、或者添加微量的Cu、Cl而得到的元件等,并且确认了前者发橙黄色光、后者发蓝绿色光(例如参照专利文献1)。另外,作为以SrS为母体材料的无机EL元件,已知有在母体材料中添加微量的Ce而得到的元件,并且确认了其发蓝绿色光。

专利文献1:日本特开2002-241753号公报

但是,以往的无机EL元件由于发光亮度低,在考虑实用性的情况下,具有难以适用于上述液晶显示器装置的背光、通宵灯、应急灯等中的问题。例如,在液晶显示器装置中,通过液晶分子、荧光体、偏振片等发生光的吸收,光的强度降低至原来的10%左右,因此需要具有至少数千cd/m2左右的发光亮度的背光。但是,即便是专利文献1记载的亮度比较高的无机EL元件,其发光亮度为500cd/m2左右,在目前的情况下,也难以使用无机EL元件制作在实用时具有充分的亮度的液晶显示器装置。

另外,虽然通过提高施加在无机EL元件上的电压也可提高发光亮度,但由于观察到无机EL元件的寿命(即EL发光的半衰期)与施加电压成比例地缩短的现象,因此期待开发出在不会降低EL发光的半衰期的情况下能够获得高亮度发光的发光装置。

发明内容

本发明鉴于上述事实而完成,其目的在于提供能够制造高亮度发光体的发光体制造方法以及高亮度的发光体。

本发明的另一目的在于提供能够发出高亮度的光、且能够实现长寿命化的发光装置。

第1发明的发光体的制造方法是以稀土类硫化物作为母体材料的发光体的制造方法,其特征在于,生成上述母体材料与活化剂的混合物,并加热所生成的混合物以将上述母体材料活化,其中上述活化剂含有Pr、Mn和Au,并用于将上述母体材料活化。

在第1发明中,通过生成由稀土类硫化物构成的母体材料与含有Pr、Mn和Au的活化剂的混合物,并加热所生成的混合物以将母体材料活化,可以获得发光亮度高的发光体。

第2发明的发光体的制造方法是根据第1发明的发光体的制造方法,其特征在于,所述稀土类硫化物为SrS。

在第2发明中,通过生成由SrS构成的母体材料与含有Pr、Mn和Au的活化剂的混合物,并加热所生成的混合物以将母体材料活化,可以获得具有3000cd/m2左右的亮度的发光体。

第3发明的发光体的制造方法是根据第1发明或第2发明的发光体的制造方法,其特征在于,在将上述母体材料活化后,添加GaAs和InP,并在含有含硫气体(Gaseous Sulphur)的氮氛围下、在798℃以上的温度下进行烧成。

在第3发明中,通过将母体材料活化后,添加GaAs和InP,并在含有含硫气体的氮氛围下、在798℃以上的温度下进行烧成,可以获得具有4500cd/m2左右的亮度的发光体。

第4发明的发光体是以稀土类硫化物作为母体材料的发光体,其特征在于,在上述母体材料中添加有Pr、Mn和Au。

在第4发明中,通过在由稀土类硫化物构成的母体材料中添加Pr、Mn和Au,可以获得高亮度的发光。

第5发明的发光体是根据第4发明的发光体,其特征在于,上述稀土类硫化物为SrS。

在第5发明中,通过在由SrS构成的母体材料中添加Pr、Mn和Au,可以获得3000cd/m2左右的发光亮度。

第6发明的发光体是根据第4发明或第5发明的发光体,其特征在于,进一步添加有GaAs和InP。

在第6发明中,通过进一步添加GaAs和InP,可以获得4500cd/m2左右的发光亮度。

第7发明的发光装置的特征在于,其具备第4发明~第6发明中任一项所记载的发光体和对该发光体施加交流电压的装置。

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