[发明专利]发光体的制造方法、发光体及发光装置无效
| 申请号： | 200680002723.9 | 申请日： | 2006-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101107341A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 金森二郎;林义定 | 申请（专利权）人： | 茶谷产业株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/56 | 分类号： | C09K11/56;C09K11/84;H05B33/10;H05B33/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光体 制造 方法 发光 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光体的制造方法，其是以稀土类硫化物作为母体材料的发光体的制造方法，其特征在于，生成所述母体材料与活化剂的混合物，并加热所生成的混合物以将所述母体材料活化，其中所述活化剂含有Pr、Mn和Au，并用于将所述母体材料活化。
2.权利要求1所述的发光体的制造方法，其特征在于，所述稀土类硫化物为SrS。
3.权利要求1或2所述的发光体的制造方法，其特征在于，将所述母体材料活化后，添加GaAs和InP，并在含有含硫气体的氮氛围下、在798℃以上的温度下进行烧成。
4.一种发光体，其是以稀土类硫化物作为母体材料的发光体，其特征在于，在所述母体材料中添加有Pr、Mn和Au。
5.权利要求4所述的发光体，其特征在于，所述稀土类硫化物为SrS。
6.权利要求4或5所述的发光体，其特征在于，进一步添加有GaAs和InP。
7.一种发光装置，其特征在于，其具备权利要求4～6任一项所述的发光体和对该发光体施加交流电压的装置。
8.权利要求7所述的发光装置，其特征在于，进一步具备对用于使所述发光体的发光强度为恒定的所述交流电压的大小进行控制的装置。
9.权利要求7所述的发光装置，其特征在于，其具备：测量所述发光体的发光强度的装置、和根据通过该装置测量的发光强度对用于施加在所述发光体上的交流电压的大小进行控制的装置。
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