[发明专利]在光存储介质上进行记录时用于聚焦管理的方法和设备无效

专利信息
申请号: 200680002306.4 申请日: 2006-01-06
公开(公告)号: CN101103399A 公开(公告)日: 2008-01-09
发明(设计)人: T·P·范恩德特 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: G11B7/09 分类号: G11B7/09
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 李静岚;谭祐祥
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 存储 介质 进行 记录 用于 聚焦 管理 方法 设备
【权利要求书】:

1.一种根据已确定的用于读取的第二聚焦偏移参数值来确定用于将内容数据写入到多层存储介质(114)中的第一聚焦偏移参数值的方法,所述方法包括下列步骤:

利用不同的、估计的第一聚焦偏移参数值写入测试数据序列(步骤206),

利用所述已确定的第二聚焦偏移参数值读出所述测试数据序列(步骤206),

确定对于至少一些所述估计的第一聚焦偏移参数值的所读出的测试数据序列的至少一个数据偏差量度值(步骤206),以及

根据所确定的至少一个数据偏差量度值来确定所述第一聚焦偏移参数值(步骤210,222),使得内容数据的读出的块错误率得以最小化,其中在使用所述确定的第一聚焦偏移参数值时所述内容数据被写入多层存储介质(114),并且在使用所述已确定的第二聚焦偏移参数值时从多层存储介质中(114)读出所述内容数据。

2.根据权利要求1的方法,其中所述确定第一聚焦偏移参数值的步骤(步骤210,222)包括确定用于最小化至少一个数据偏差量度(步骤210)的所述第一聚焦偏移参数值。

3.根据权利要求1的方法,其中所述写入测试数据序列的步骤进一步包括利用不同的写入功率电平写入测试数据序列(步骤206)。

4.根据权利要求3的方法,其中所述确定至少一个数据偏差量度值的步骤包括根据不同的功率电平来确定所述值(步骤210)。

5.根据权利要求1的方法,进一步包括在所述存储介质上存储至少与所述确定的第一聚焦偏移参数值相关的参数的步骤(步骤226)。

6.根据权利要求1的方法,进一步地包括步骤:

确定对于至少一些所述估计的第一聚焦偏移参数值的所读取的测试数据序列的第二数据偏差量度值(步骤206),其中所述确定第一聚焦偏移参数值的步骤进一步包括根据所确定的第二数据偏差量度值来确定所述第一聚焦偏移参数值(步骤216,218,220)。

7.一种第一聚焦偏移参数值确定单元(100),用于根据确定的第二聚焦偏移参数值来确定用于向多层存储介质(114)写入数据的第一聚焦偏移参数值,所述第一聚焦偏移参数值确定单元(100)包括:

数据写入单元(102),其设置成利用不同的、估计的第一聚焦偏移参数值,向所述存储介质写入测试数据序列,

数据读取单元(104),其设置成利用第二聚焦偏移参数值从所述存储介质(114)读取测试数据序列,

第一数据偏差量度确定单元(108),其设置成确定对于至少一些所述估计的第一聚焦偏移参数值的所读取的测试数据序列的第一数据偏差量度值,

控制单元(106),连接到数据写入单元(102)、另一数据写入单元(104)和第一数据偏差量度确定单元(108),所述控制单元(106)设置成控制:利用不同的、估计的第一聚焦偏移参数值写入所述测试数据序列(步骤206),利用第二聚焦偏移参数值读取所述测试数据序列(步骤206),确定对于至少一些所述估计的第一聚焦偏移参数值的所读取的测试数据序列的至少一个数据偏差量度值(步骤206),以及根据所确定的至少一个数据偏差量度值来确定所述第一聚焦偏移参数值(步骤210,222),使得数据的读出的块错误率得以最小化,其中在利用所确定的第一聚焦偏移参数值时所述数据被写入多层存储介质(114),并且在利用所确定的第二聚焦偏移参数值时从多层存储介质(114)中读出所述数据。

8.根据权利要求7的第一聚焦偏移参数值确定单元(100),进一步包括:

第二数据偏差量度确定单元(110),其设置成确定对于至少一些所述估计的第一聚焦偏移参数值的所读取的测试数据序列的第二数据偏差量度值,其中所述控制单元(106)进一步设置成根据所确定的第二数据偏差量度值来确定所述第一聚焦偏移参数值。

9.一种用于初始化多层存储介质(114)的存储介质初始化设备(116),其中所述存储介质初始化设备(116)设置成接收所述多层存储介质(114),所述设备包括:

根据权利要求7的第一聚焦偏移参数值确定单元(100),其设置成确定第一聚焦偏移参数值,使得所述存储介质初始化设备(116)能够通过在所述存储介质(114)上存储与所述第一聚焦偏移参数值相关的至少一个参数值来初始化所述多层存储介质(114)。

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