[发明专利]功能元件和氧化物材料形成方法有效
申请号: | 200680001819.3 | 申请日: | 2006-01-06 |
公开(公告)号: | CN101099227A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
发明(设计)人: | 一杉太郎;古林宽;长谷川哲也;广濑靖;笠井淳平;守山实希 | 申请(专利权)人: | 丰田合成株式会社;财团法人神奈川科学技术研究院 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;C23C14/08;C23C14/28;C30B29/16;G02F1/09;H01L33/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 苗堃;刘继富 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功能 元件 氧化物 材料 形成 方法 | ||
技术领域
本发明涉及功能元件和氧化物材料形成方法。
背景技术
近年来,显示屏向大型化、小型便携化的需求在不断提高。为了实现该需求,需要显示元件的低电力消耗,使用可见光线透射率高、电阻值低的透明电极变得必不可缺。
因此,为了进一步降低透明导电性薄膜的电阻值,提出了在玻璃板等透明基材表面上设置含有掺杂了数%锡的氧化铟的氧化铟锡膜(以下称为ITO膜)的方案(例如,参照专利文献1)。
但是,虽然该ITO膜透明性优异,具有高导电性,但具有In的地壳含有率低达50ppb,伴随资源枯竭而使原料的成本上升的缺点。
此外,特别是在近年,作为耐等离子体性高并且廉价的材料提出了氧化锌类材料。
但是,氧化锌类材料不耐酸、碱,即使在二氧化碳气氛中也会被慢慢侵蚀。此外,为了改善所述耐化学品性,还考虑了通过对氧化锌表面进行涂布加工从而进行应对,但必须增加1个涂布工序,也存在制造成本增加的问题。
即,为了扩大透明传导体的使用范围,需要用可以稳定供给的原材料将其构成,同时需要用兼具耐化学品性、耐久性的原材料将其构成。
因此,兼具耐化学品性、耐久性的二氧化钛(TiO2)受到关注(例如,参照非专利文献1),TiO2膜在蓝宝石基板等上外延生长(例如,参照非专利文献2、3和4)。
但是,如果使用蓝宝石基板,则不能利用基板材料和薄膜材料间的异种材料的结合(异质接合)产生的功能,难以使蓝宝石基板成为非单纯结构材料而发挥功能。
专利文献1:特开2004-95240号公报
非专利文献1:应用物理第73卷第5号(2004)587项~592项
非专利文献2:Jpn.J.Appl.Phys.Vol.40(2001)pp.L1204~L1206
非专利文献3:Nature Materials 3,221-224(2004)
非专利文献4:APPLIED PHYSICS LETTERS VOLUME 78,NUMBER 18,2664~2666(2001)
发明内容
因此,本发明鉴于上述状况而提出,目的在于提供具有新特性的功能元件和氧化物材料形成方法。
根据本发明,为了实现上述目的,采用了如本发明要求保护范围所述的构成。以下对本发明进行详细说明。
本发明的第1侧面涉及功能元件,其特征在于:具有AlxGayInzN(其中,0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)、和在上述AlxGayInzN上形成、含有金属氧化物的氧化物材料,上述金属氧化物为TiO2。
根据本构成,得到在具有优异的物理化学性质的3族氮化物上一体形成的在界面的反射少、兼具耐化学品性和耐久性的TiO2膜而构成的功能元件。
本发明的第2侧面涉及氧化物材料形成方法,是采用脉冲激光沉积法在AlxGayInzN(其中,0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)上形成、含有金属氧化物的氧化物材料的方法,其中,上述金属氧化物为TiO2。
根据本构成,能够在具有优异的物理化学性质的3族氮化物上形成接触电阻小、在界面的散射小的品质良好的TiO2外延生长膜。
本发明的第3侧面涉及功能元件,其特征在于:具有AlxGayInzN(其中,0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)、和在上述AlxGayInzN上形成、含有金属氧化物的氧化物材料,上述金属氧化物为SnO2。
根据本构成,得到在具有优异的物理化学性质的3族氮化物上一体形成界面的反射少、兼具耐化学品性和耐久性的SnO2膜而构成的功能元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造