[实用新型]输出电压可调式CMOS基准电压源

权利要求书

1、一种输出电压可调式CMOS基准电压源，其特征在于：包括启动电路(1)，正温度系数电流产生电路(2)，负温度系数电流产生电路(3)及基准电压产生电路(4)；启动电路(1)，正温度系数电流产生电路(2)，负温度系数电流产生电路(3)及基准电压产生电路(4)的直流电输入端分别连接直流电源Vdd，启动电路(1)的输出端接正温度系数电流产生电路(2)的输入端，正温度系数电流产生电路(2)的第一输出端分别与负温度系数电流产生电路(3)的第一输入端和基准电压产生电路(4)的第三输入端连接，正温度系数电流产生电路(2)的第二输出端分别与负温度系数电流产生电路(3)的第二输入端和基准电压产生电路(4)的第四输入端连接，负温度系数电流产生电路(3)的第一输出端、第二输出端分别对应连接基准电压产生电路(4)的第一输入端和第二输入端，基准电压产生电路(4)具有基准电压输出端，输出基准电压。

2、根据权利要求1所述的输出电压可调式CMOS基准电压源，其特征在于：所述的启动电路(1)由至少两个PMOS管P1、PMOS管P2和电容C0组成，PMOS管P1和PMOS管P2的源极作为启动电路(1)的直流电输入端，PMOS管P1的漏极分别与PMOS管P2的栅极及电容C0正端相连，PMOS管P2的漏极作为启动电路(1)的输出端，PMOS管P1的栅极及电容C0的另一端接公共地端。

3、根据权利要求1所述的输出电压可调式CMOS基准电压源，其特征在于：所述的正温度系数电流产生电路(2)由8个MOS管和一个电阻R1组成；PMOS管M1和PMOS管M2的源极相连并作为正温度系数电流产生电路(2)的直流电输入端，与直流电源Vdd相连，PMOS管M1的漏极与PMOS管M3的源极相连，PMOS管M2的漏极与PMOS管M4的源极相连，PMOS管M1和PMOS管M2的栅极共接于PMOS管M2的漏极和PMOS管M4的源极，且作为正温度系数电流产生电路(2)的第一输出端；PMOS管M3和PMOS管M4的栅极共接于PMOS管M4和NMOS管M6的漏极，且作为正温度系数电流产生电路(2)的第二输出端；PMOS管M3的漏极与NMOS管M5漏极、栅极与NMOS管M6的栅极共接；NMOS管M5的源极与NMOS管M7的栅极相连并作为正温度系数电流产生电路(2)的输入端，NMOS管M7的漏极和NMOS管M8的栅极相连，NMOS管M7的栅极和漏极之间设置一电阻R1，NMOS管M6的源极与NMOS管M8的漏极相连；NMOS管M7和NMOS管M8的源极接公共地端。

4、根据权利要求1所述的输出电压可调式CMOS基准电压源，其特征在于：所述的负温度系数电流产生电路(3)由至少6个MOS管和一个电阻连接而成；PMOS管M9的源极与PMOS管M12的源极相连并作为负温度系数电流产生电路(3)的直流电输入端，PMOS管M9的栅极作为负温度系数电流产生电路(3)的第一输入端，PMOS管M9的漏极接PMOS管M10的源极，PMOS管M10的栅极作为负温度系数电流产生电路(3)的第二输入端，PMOS管M10的漏极接NMOS管M11的漏极，NMOS管M11的栅极与公共地之间设置电阻R2，NMOS管M11的源极接公共地端；PMOS管M12的栅极与漏极共接于PMOS管M13的源极，并作为负温度系数电流产生电路(3)的第一输出端，PMOS管M13栅极和漏极共接于NMOS管M14的漏极，并作为负温度系数电流产生电路(3)的第二输出端，NMOS管M14的栅极接NMOS管M11的漏极，NMOS管M14的源极接NMOS管M11的栅极。

5、根据权利要求1所述的输出电压可调式CMOS基准电压源，其特征在于：所述的基准电压产生电路(4)由4个MOS管和一个电阻连接而成；PMOS管M15的栅极作为基准电压产生电路(4)的第一输入端，PMOS管M15的源极与PMOS管M17的源极相连并作为基准电压产生电路(4)的直流电输入端，PMOS管M15的漏极连接PMOS管M16的源极，PMOS管M16的栅极作为基准电压输出电路(4)的第二输入端，PMOS管M16的漏极连接PMOS管M18的漏极，并作为基准电压输出电路(4)的基准电压输出端，PMOS管M17的栅极作为基准电压产生电路(4)的第三输入端，PMOS管M17的漏极接PMOS管M18的源极，PMOS管M18的栅极作为基准电压产生电路(4)的第四输入端。