[实用新型]一种中心定位的功率器件

说明书

技术领域

本实用新型为一种功率器件结构布置方法及装置，具体说是一种功率晶闸管半导体基片定位结构布置方法及装置，也可以用于各种晶闸管的结构中。

技术背景

晶闸管一般都是由晶闸管半导体基片和绝缘壳体所组成，而且为了保证器件的稳定，晶闸管半导体基片是由阴极钼片和阳极钼片夹着芯片所构成的。为了使晶闸管半导体基片在器件腔体内准确定位，往往需要进行定位。现有的晶闸管半导体基片定位多采用定位环进行定位(见附图1)。该种定位方法，是在管座上套一个定位环，通过定位环的内圈给晶闸管半导体基片定位。这种定位方式存在以下一些不足：

1.因定位环与芯片距离较近，在器件工作时，定位环有可能会对芯片边缘的灌胶层直接施力，从而影响芯片的工作性能。

2.对于大功率的器件，要求定位环应随芯片的加大而尺寸增加，但是定位环太大，就给加工加大了难度；

3.就加工而言，实体定位环因为是大环，因此加工精度很难保证，尺寸越大，变形也随之加大，而且这种变形很难避免。

综上所述，现在的晶闸管半导体基片定位的确存在一些不足，因此很有必要对此加以改进。

实用新型内容

本实用新型旨在克服现有晶闸管半导体基片定位的不足，提供一种新的晶闸管半导体基片定位方法及装置，该功率晶闸管半导体基片定位结构更简单，加工精度容易保证，且不会影响芯片的工作性能。

本实用新型的目的通过下述技术方案予以实现：一种功率晶闸管，包括绝缘壳体、管座、管盖、管芯、阴极钼片和阳极钼片，管芯夹在阴极钼片和阳极钼片之间，形成半导体基片，半导体基片又安置于管座与管盖之间，管座与管盖又分别通过上连接件和下连接件与绝缘壳体连接，形成一个封闭腔体，半导体基片正好置于封闭腔体之内，其特征在于：采取中心定位的方法，在阳极钼片的中心开有定位孔，在管座的内面中心也开有定位孔，且管座内面的定位孔为盲孔，在阳极钼片中心定位孔与管座内面的定位孔中有用于定位的定位销，晶闸管半导体基片是通过定位销和阳极钼片中心定位孔与管座内面的定位孔进行定位的。

本实用新型的优点在于：

1、因定位环与芯片距离较近，在器件工作时，定位环有可能会对芯片边缘的灌胶层直接施力，从而影响芯片的工作性能。而定位销是位于官壳中央的，与之接触的是管座与阳极钼片，所以不会对芯片造成影响：

2、对于大功率的器件，要求定位环应随芯片的加大而尺寸增加，但是定位环太大，就给加工加大了难度；

3、中心定位销与定位环采用了相同的原料，但是因形状不同，采用中心定位销定位后，大大节约了原料：

4、就加工而言，实体的柱状定位销与环状定位环相比，加工精度更容易保证，对于定位环而言，尺寸越大，变形也随之加大，而且这种变形很难避免。

附图说明

图1为本实用新型晶闸管半导体基片定位结构示意图。

图中：1-管座；2-管盖；3-管芯；4-门极组件；5-定位销；6-阴极钼片；7-阳极钼片；8-陶瓷绝缘管壳；9-阳极钼片中心定位孔；10-管座中心定位孔。

具体实施方式

附图给出了本实用新型的一种示意图，下面将结合附图对本实用新型作进一步的描述。

通过附图可以看出本实用新型为一种功率晶闸管，包括陶瓷绝缘管壳9、管座1、管盖2、管芯3、阴极钼片6和阳极钼片7，管芯3夹在阴极钼片6和阳极钼片7之间，形成半导体基片，半导体基片又安置于管座1与管盖2之间，并由中心定位销5定位，在管盖2与阴极钼片6之间设有门极组件4，管座1与管盖2又分别通过上连接件和下连接件与陶瓷绝缘管壳8连接，形成一个封闭腔体，半导体基片正好置于封闭腔体之内。其特征在于：采取中心定位的方法，在阳极钼片7的中心开有阳极钼片中心定位孔9，在管座1的内面中心也开有管座中心定位孔10，且管座内面的管座中心定位孔为盲孔，在阳极钼片中心定位孔与管座内面的管座中心定位孔中有用于定位的定位销5，晶闸管半导体基片是通过定位销5和阳极钼片中心定位孔9与管座内面的管座中心定位孔10进行定位的。