[发明专利]具静电防护效果的液晶面板及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200610168022.4 申请日: 2006-12-15
公开(公告)号: CN101201482A 公开(公告)日: 2008-06-18
发明(设计)人: 张乃恒;陈志明;林林;赖志章;王文俊 申请(专利权)人: 胜华科技股份有限公司
主分类号: G02F1/133 分类号: G02F1/133;H05F3/02;H05K9/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 逯长明
地址: 台湾省台中县潭子*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 静电 防护 效果 液晶面板 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明是关于一种具静电防护效果的液晶面板及其制造方法,尤指一种可消除因静电干扰所造成画面乱码的技术。

背景技术

如图5揭露一典型的液晶面板控制模块,其包括有一液晶面板(70)、多个分设于液晶面板(70)周边的扫瞄驱动IC(71)及数据驱动IC(72)、一与前述各扫瞄驱动IC(71)的频率驱动器(73)、一与前述各数据驱动IC(72)连接的频率控制器(74)、一提供液晶面板(70)中各像素一稳定参考电压的VCOM放大器(75)、一与前述各数据驱动IC(72)连接的珈玛产生器(76)、一背光驱动模块(77)、一光传感器(78)及一电源电路(79)等。

又静电防护为液晶面板重要的技术主题之一,既有液晶面板赖以产生静电防护的措施是如图6所示,当面板上有静电产生即透过晶体管T1、T2导到液晶面板的VCOM电极,由于VCOM电极是位于上玻璃基板上整面的透明金属层,故具有防静电效果。

然而前述方法并无法完全克服液晶面板因静电打入所产生的各种问题,例如某些静电干扰的状况下,面板画面将出现乱码,此种状况多半发生在静电打在驱动IC的特定接脚上,例如驱动IC的重置(RESET)及写入致能(WR)接脚,当静电突波出现在该等接脚时,驱动IC无法正确判读该等接脚的状态,因而在画面上出现乱码,此种因素所造成的乱码虽在重置后可以恢复正常,但画面出现乱码已对消费者造成困扰,且容易造成面板质量不良的负面观感。

发明内容

由上述可知,既有液晶面板虽有静电防护设计,但将静电导引至VCOM的作法,无法解决面板画面因静电干扰而产生乱码的问题,故有待进一步检讨,并谋求可行的因应方案。

因此,本发明主要目的在提供一种具静电防护效果的液晶面板,其可有效解决因静电突波干扰驱动IC特定接脚所造成的画面乱码问题。

为达成前述目的采取的主要技术手段是令前述液晶面板包括有两相对基板,并于其中一基板上分别定义出:

多个的IC接脚焊垫,供贴合驱动IC,并与其电连接;

多个的软板连接焊垫,用以连接软板,并分别透过一接线与对应的IC接脚焊垫电连接;

至少一共地金属层,该共地金属层是非电接触地重叠于前述接在线,并连接到接地端;

在前述状况下,共地金属层与各接线间分别构成一电容,且该电容连接到接地端,故形成一静电排放路径,当静电突波打在接线时,随即经由形成的等效电容排放到地,由于静电突波不会进入驱动IC,故不致使画面出现乱码,从而有效解决液晶面板因静电干扰出现乱码的问题。

前述基板上的共地金属层为多个,并分别非电接触地重叠于基板上的扫描线、数据线,由此排放打在扫描线及/或数据在线的静电突波。

前述共地金属层是可由该基板上的第1图案化金属层、或由该基板上的第2图案化金属层所定义形成。

前述共地金属层亦可由贴覆在基板表面的金属薄膜所构成。

本发明次一目的在提供一种液晶面板的制造方法,包括下列步骤:

准备一基板;

在基板的一面上形成经图案化的第一金属层,而分别定义出薄膜晶体管的栅极、储存电容的下电极、扫描线及多个的驱动IC连接接线等;

在第一金属层上形成一第一绝缘层;

在第一绝缘层上连续沉积一非晶硅(a-Si)层与一N型掺杂非晶硅(N+a-Si)层,经图案化构成一岛状半导体层;

在前述基板上形成一全面覆盖的第二金属层,经图案化分别定义出薄膜晶体管的源极电极、漏极电极、储存电容的上电极、数据线及至少一第一共地金属层等;该第一共地金属层是非电接触地重叠于前述驱动IC连接接线;

对前述非晶硅(a-Si)层及N型掺杂非晶硅(N+a-Si)层进行蚀刻,以分别构成源/漏极掺杂区及主动区;

在前述第二金属层上形成一保护层;

在前述保护层上形成一像素电极,并令像素电极透过预先形成于层间的开口与漏极电极电连接。

前述方法由第二金属层定义至少一第一共地金属层,并相对于驱动IC连接接线,又第一共地金属层是连接至接地端,因而得在驱动IC的不特定接脚与接地端之间形成一静电排放路径,一旦接脚遭静电突波侵袭,可迅速将静电突波导至接地端。

本发明又一目的在提供一种液晶面板的制造方法,包括下列步骤:

准备一基板;

在基板的一面上形成经图案化的第一金属层,而分别定义出薄膜晶体管的栅极、储存电容的下电极、扫描线及至少一第一共地金属层等;

在第一金属层上形成一第一绝缘层;

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