[发明专利]有机发光显示器及其具有电压补偿技术的有机发光像素有效

专利信息
申请号: 200610163953.5 申请日: 2006-11-27
公开(公告)号: CN101192373A 公开(公告)日: 2008-06-04
发明(设计)人: 曾名骏;郭鸿儒;黄建翔 申请(专利权)人: 奇美电子股份有限公司;奇晶光电股份有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32;G09G3/30;G09G3/20;H05B33/08;H05B33/14;H05B37/02;H01L27/32;H01L51/50
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 左一平
地址: 台湾省74144台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光 显示器 及其 具有 电压 补偿 技术 像素
【权利要求书】:

1.一种像素的驱动方法,其特征在于,该像素具有一第一电容、一第一薄膜晶体管、一第二薄膜晶体管与一有机发光二极管,该第一电容的一第一端耦接该第二膜晶体管的栅极,该第一薄膜晶体管的一第一端接收一第一电压,该第一薄膜晶体管的一第二端耦接至该第一薄膜晶体管的栅极及该第一电容的该第一端,该第二薄膜晶体管的一第一端接收一第二电压,该第二薄膜晶体管的一第二端用以输出一像素电流至该有机发光二极管的阳极,该有机发光二极管的阴极接收一第三电压,该驱动方法包括:

截止该有机发光二极管;

于该有机发光二极管截止期间,提供一第四电压于该第一电容的该第一端,以及提供一第五电压于该第一电容的一第二端,该第四电压与该第一电压间的电压差使该第一薄膜晶体管导通;

于该有机发光二极管截止期间且该第一电容的该第二端的电压位准保持在该第五电压时,移除该第四电压以使该第一电容的该第一端的电压位准因该第二薄膜晶体管的作用改变为一第一电压位准;

于该有机发光二极管截止期间且于该第一电容的该第一端的电压位准上升到该第一电压位准后,改提供一像素电压至该第一电容的该第二端;以及

导通该有机发光二极管以使该第三薄膜晶体管依据该第一电容的该第一端的电压位准输出该像素电流至该有机发光二极管。

2.如权利要求1所述的驱动方法,其特征在于,提供该第五电压的步骤由一数据驱动电路与一第三薄膜晶体管执行,该第三薄膜晶体管的一第一端接收该数据驱动电路所输出的该第五电压,该第三薄膜晶体管的一第二端耦接至该第一电容的该第二端,该第三薄膜晶体管的栅极用以接收一扫描信号,当该扫描信号的电压位准使该第三薄膜晶体管导通时,该第三薄膜晶体管提供该第五电压至该第一电容的该第二端。

3.如权利要求1所述的驱动方法,其特征在于,截止该有机发光二极管的步骤由一第四薄膜晶体管实现,该第四薄膜晶体管的一第一端与一第二端串联于该像素电流所流过的路径上,该第一端为源极或漏极,该第二端为漏极或源极。

4.如权利要求1所述的驱动方法,其特征在于,该第五电压的电压位准实质上等于该第四电压的电压位准。

5.一种有机发光像素,其特征在于,包括:

一第一电容;

一第一薄膜晶体管,该第一薄膜晶体管的一第一端接收一第一电压,该第一薄膜晶体管的一第二端耦接至该第一薄膜晶体管的栅极及该第一电容的一第一端;

一第二薄膜晶体管,该第二薄膜晶体管的一第一端接收一第二电压,该第二薄膜晶体管的栅极耦接至该第一薄膜晶体管的栅极;

一第三薄膜晶体管,该第三薄膜晶体管的一第一端接收一像素电压,该第三薄膜晶体管的一第二端耦接至该第一电容的一第二端,该第三薄膜晶体管的栅极用以接收一扫描信号;

一重置电路,用以设定该第一电容的该第一端为一第一电压位准;以及

一有机发光二极管,该有机发光二极管的阳极偶接至该第二薄膜晶体管的一第二端,该有机发光二极管的阴极接收一第三电压;

其中,该第一电压位准低于该第一电压的电压位准。

6.如权利要求5所述的有机发光像素,其特征在于,该有机发光像素还包括:

一第四薄膜晶体管,该第四薄膜晶体管的一第一端耦接至该第二薄膜晶体管的该第二端,该第四薄膜晶体管的一第二端耦接至该有机发光二极管的阳极,该第五薄膜晶体管的栅极接收一第一控制信号。

7.如权利要求5所述的有机发光像素,其特征在于,该有机发光像素还包括:

一第四薄膜晶体管,该第四薄膜晶体管的一第一端接收该第二电压,该第四薄膜晶体管的一第二端耦接至该第二薄膜晶体管的该第一端,该第四薄膜晶体管的栅极接收一第一控制信号。

8.如权利要求5所述的有机发光像素,其特征在于,该重置电路还用以重置该第一电容,该重置电路包括:

一第五薄膜晶体管,该第五薄膜晶体管的一第一端耦接至该第一电容的该第一端,该第五薄膜晶体管的一第二端接收一第四电压,该第五薄膜晶体管的栅极接收一第二控制信号。

9.如权利要求5所述的有机发光像素,其特征在于,该重置电路还用以重置该第一电容,该重置电路包括:

一第五薄膜晶体管,该第五薄膜晶体管的一第一端耦接至该第一电容的该第一端,该第五薄膜晶体管的一第二端耦接该第五薄膜晶体管的栅极并接收一第二控制信号。

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