[发明专利]碳纳米管阵列的制备方法有效
| 申请号： | 200610157696.4 | 申请日： | 2006-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101205059A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 陈卓;魏洋;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 制备 方法 | ||
1.一种碳纳米管阵列的制备方法，其包括以下步骤：
提供一基底；
形成一光吸收层于上述基底表面；
形成一催化剂层于上述光吸收层上；
通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂表面；以及
以激光束聚焦照射在上述基底表面从而生长碳纳米管阵列。
2.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该光吸收层的形成包括以下步骤：
形成一含碳材料于上述基底表面；
在氮气环境中，将涂敷有含碳材料的基底在90分钟内逐渐加温到300℃以上并烘烤；以及
自然冷却到室温形成一光吸收层于基底表面。
3.如权利要求2所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该含碳材料为石墨乳。
4.如权利要求3所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该石墨乳层采用旋转涂敷形成于基底表面。
5.如权利要求2所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该光吸收层的厚度为1～20微米。
6.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该催化剂层的形成包括以下步骤：
提供一催化剂溶液；以及
将该催化剂溶液涂敷于上述光吸收层表面。
7.如权利要求6所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该催化剂溶液为含有催化剂的乙醇溶液。
8.如权利要求7所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该催化剂为硝酸镁和硝酸铁、硝酸钴或硝酸镍中任一种组成的混合物。
9.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该催化剂层的厚度为1～100纳米。
10.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该碳源气包括甲烷、乙烷、乙烯或乙炔，该载气包括氩气或氮气。
11.如权利要求1或10所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该载气和碳源气的通气流量比例为5∶1～10∶1。
12.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该激光束可通过传统的氩离子激光器或二氧化碳激光器产生，并通过一透镜聚焦照射在基底上。
13.如权利要求12所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该激光束聚焦后直径范围为50～200微米。
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