[发明专利]高光电转换率,多层超薄膜P－N节太阳能电池工艺

说明书

(一)技术领域：

本项发明属新的太阳能电池结构和工艺。

(二)背景技术：

本项发明用溅射(PVD sputtering)方法在抛光的不锈钢薄片上形成P-型半导体薄膜，然后再在其上又用溅射方法形成N-型半导体薄膜，从而形成超薄膜P-N节太阳能电池的基本结构。

(三)发明内容：

发明内容分工艺和结构两部分：

A)高光电转换率，多层超薄膜P-N节太阳能电池工艺说明书：

第1步：分别用P-型半导体(SiB，GeB)，N-型半导体(SiP，GeP)和导电玻璃(ITO)做溅射(PVD)靶材3个。

第2步：用溅射(PVD)方法在抛光的不锈钢薄片上形成P-型半导体薄膜，然后再在其上又用溅射方法形成N-型半导体薄膜，从而形成超薄膜P-N节。其厚度在几个原子层左右。

第3步：在超薄膜P-N节上用溅射方法形成一层导电玻璃薄膜，然后再用第2步中所描述的方法形成第2层超薄膜P-N节。

第4步：重复用第2，3步中所描述的方法形成多层超薄膜P-N节。超薄膜P-N节层数取决于光的穿透能力和半导体薄膜，导电玻璃薄膜的总厚度。光电转换效率可以高达50％。

B)高光电转换率，多层超薄膜P-N节太阳能电池结构说明书：

附图1是工艺说明中第2步后所形成的单层超薄膜P-N节。

附图2是工艺说明中第3步后所形成的双层超薄膜P-N节，多层超薄膜P-N节与此类似。

(四)附图说明：

参见“高光电转换率，多层超薄膜P-N节太阳能电池结构”

(五)具体实施方试：

a)购买溅射(PVD Sputtering)设备。

b)购买溅射(PVD)靶材，SiB，GeB，SiP，GeP，ITO，

c)参照高光电转换率，多层超薄膜P-N节太阳能电池工艺说明书制造多层超薄膜P-N节。