[发明专利]可藉由注入电流来增加带宽的放大器及其方法有效
申请号: | 200610151853.0 | 申请日: | 2006-09-13 |
公开(公告)号: | CN101145762A | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
发明(设计)人: | 杜全平 | 申请(专利权)人: | 瑞昱半导体股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/42 | 分类号: | H03F1/42;H03F3/45 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 吕晓章;李晓舒 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 藉由 注入 电流 增加 带宽 放大器 及其 方法 | ||
1.一种放大器,包含:
一输入级,用以接收一第一输入信号;
一负载级,耦接于该输入级,用以输出一第一输出信号;
一预定电流源,耦接于该输入级,用以允许一预定电流的流通;以及
一第一电流源,耦接于该输入级,用以将一第一电流注入该输入级,以输出该第一输出信号。
2.如权利要求1所述的放大器,其中,该第一电流源、该输入级与该负载级耦接于一节点。
3.如权利要求1所述的放大器,其中,该输入级、该负载级与该预定电流源以一望远镜式结构的方式所配置。
4.如权利要求1所述的放大器,其中,该输入级包含有一晶体管,该第一输入信号输入至该晶体管的栅极,而该第一电流注入至该晶体管的漏极。
5.如权利要求1所述的放大器,其中,该第一电流源是一p型电流源。
6.如权利要求1所述的放大器,其中,该负载级是一主动式负载,其包含有多个彼此间电连接的晶体管。
7.如权利要求6所述的放大器,其中,该负载级另包含:
至少一增益单元,耦接于该多个晶体管中的至少一晶体管的二端点。
8.如权利要求7所述的放大器,其中,该至少一晶体管的源极与栅极皆耦接于该至少一增益单元。
9.如权利要求1所述的放大器,其中,该输入级另接收一第二输入信号,该负载级另输出一第二输出信号,而该放大器另包含:
一第二电流源,耦接于该输入级,用以将一第二电流注入该输入级,以输出该第二输出信号。
10.如权利要求9所述的放大器,其中,该输入级包含:
一第一晶体管,耦接于该第一电流源,用以接收该第一输入信号;以及
一第二晶体管,耦接于该第二电流源,用以接收该第二输入信号。
11.如权利要求10所述的放大器,其中,该负载级包含:
多个第三晶体管,彼此电连接并耦接于该第一晶体管,用以产生该第二输出信号;以及
多个第四晶体管,彼此电连接并耦接于该第二晶体管,用以产生该第一输出信号。
12.如权利要求11所述的放大器,其中,该输入级、该负载级与该预定电流源以一望远镜式结构的方式所配置。
13.一种用于一放大器的带宽增加方法,该放大器包括一输入级、一负载级与一第一电流源,该带宽增加方法包含:
使用该放大器的一输入级来接收一第一输入信号;
使用该放大器的一第一电流源来允许一预定电流的流通;
提供一第一电流,并将该第一电流注入该输入级;以及
使用该放大器的一负载级来输出该第一输出信号。
14.如权利要求13所述的带宽增加方法,其中,该放大器更包括一预定电流源;其中,该输入级、该负载级与该预定电流源以一望远镜式结构的方式所配置。
15.如权利要求13所述的带宽增加方法,其中,该输入级包含有一晶体管,其中该第一输入信号输入至该晶体管的栅极,且该第一电流注入至该晶体管的漏极。
16.如权利要求13所述的带宽增加方法,其中,该第一电流源是一p型电流源。
17.如权利要求13所述的带宽增加方法,其中,该负载级是一主动式负载,其包含有多个彼此电连接的晶体管。
18.如权利要求17所述的带宽增加方法,其中,该负载级另包含有:
至少一增益单元,该至少一增益单元耦接于该多个晶体管中的一至少一晶体管的二端点。
19.如权利要求18所述的带宽增加方法,其中,该至少一晶体管的源极与栅极皆耦接于该至少一增益单元。
20.如权利要求13所述的带宽增加方法,另包含:
提供一第二电流,并将该第二电流注入该输入级。
21.如权利要求20所述的带宽增加方法,其中,该放大器更包括一预定电流源;其中该输入级、该负载级与该预定电流源以一望远镜式结构的方式所配置。
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