[发明专利]接收器起始补偿电路

权利要求书

1.一种接收器起始补偿电路，其包含：

一偏压电压源；

一电流镜电路，用来于其输出端提供电流；

一省电开关，其第一端耦接于该电流镜电路的输出端，该省电开关于一控制端接收一第一控制讯号，并依据该第一控制讯号来控制该电流镜电路所提供电流的流通路径；以及

一补偿单元，耦接于该电流镜电路的一偏压端和该省电开关的第二端，该补偿单元的第一控制端接收所述第一控制讯号并且该补偿单元的第二控制端接收所述第一控制讯号的反相讯号，使得：在省电模式时，该补偿单元与该接收器起始补偿电路的输出端相连接，在进入正常模式时，该补偿单元与一偏压相连接以提供电荷至该电流镜电路的偏压端，从而稳定该电流镜电路的偏压端的电位。

2.如权利要求1所述的接收器起始补偿电路，其还包含：

一电容，耦接于该该偏压电压源和电流镜电路的偏压端之间。

3.如权利要求1所述的接收器起始补偿电路，其中该电流镜电路包含：

一参考电流源；

一第一P型金属氧化物半导体晶体管，其包含：

一源极，耦接于该偏压电压源；

一漏极，耦接于该参考电流源；以及

一栅极，耦接于该电流镜电路的偏压端和该第一P型金属氧化物半导体的漏极；以及

一第二P型金属氧化物半导体晶体管，其包含：

一源极，耦接于该偏压电压源；

一漏极，耦接于该电流镜电路的输出端；以及

一栅极，耦接于该电流镜电路的偏压端。

4.如权利要求3所述的接收器起始补偿电路，其还包含：

一唤醒电流源，以并联于该第二P型金属氧化物半导体晶体管和该省电开关。

5.如权利要求3所述的接收器起始补偿电路，其中该省电开关包含一第三P型金属氧化物半导体晶体管，该第三P型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接于该第二P型金属氧化物半导体的漏极。

6.如权利要求3所述的接收器起始补偿电路，其中该补偿单元包含：

一第四P型金属氧化物半导体晶体管，其包含：

一源极；

一漏极，耦接于该源极；以及

一栅极，耦接于该电流镜电路的偏压端；

一第一控制开关，耦接于该第四P型金属氧化物半导体的源极和该偏压电压源，且包含：

一控制端，用来接收该第一控制讯号，并依据该第一控制讯号来控制该第四P型金属氧化物半导体晶体管和该偏压电压源之间的电流流通路径；以及

一第二控制开关，耦接于该第四P型金属氧化物半导体的源极和该省电开关，且包含：

一控制端，用来接收一第二控制讯号，并依据该第二控制讯号来控制该第四P型金属氧化物半导体晶体管和该省电开关之间的电流流通路径。

7.如权利要求6所述的接收器起始补偿电路，其中该第二控制开关包含：

一控制端，用来接收一相位相反于该第一控制讯号的第二控制讯号，并依据该第二控制讯号来控制该第四P型金属氧化物半导体晶体管和该省电开关之间的电流流通路径。

8.如权利要求6所述的接收器起始补偿电路，其中该第一和第二控制开关包含P型金属氧化物半导体。

9.如权利要求6所述的接收器起始补偿电路，其中该第四控制开关的宽度和长度之比为该第二控制开关的宽度和长度之比的一半。

10.如权利要求6所述的接收器起始补偿电路，其中该第四控制开关的宽度和长度之比大于该第二控制开关的宽度和长度之比的一半。

11.如权利要求6所述的接收器起始补偿电路，其中该第二控制开关的宽度和长度之比大于该第一控制开关的宽度和长度之比。

12.如权利要求3所述的接收器起始补偿电路，其中该补偿单元包含：

一电容，该电容的第一端耦接于电流镜电路的偏压端；

一第一控制开关，用来接收该第一控制讯号，并依据该第一控制讯号来控制该电容和该偏压电压源之间的电流流通路径；以及

一第二控制开关，耦接于该电容的第二端和该省电开关之间，且包含：

一控制端，用来接收一第二控制讯号，并依据该第二控制讯号来控制该电容和该省电开关之间的电流流通路径。