[发明专利]超高显像度光记录媒介无效
| 申请号： | 200610148762.1 | 申请日： | 2006-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101211606A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 金正宏;李昌浩;郭金哲 | 申请（专利权）人： | 上海乐金广电电子有限公司 |
| 主分类号： | G11B7/243 | 分类号： | G11B7/243;G11B7/242;G11B7/252;G11B7/241 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 201206上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超高 显像 记录 媒介 | ||
1.一种超高显像度光记录媒介，其在光的衍射界限以下生成标记，并利用光照射该标记进行存储和读取，其特征在于：所述光记录媒介包括基板、记录层和读取层；其中，所述记录层是由以下两层构成：利用硅元素制成的层和从Ag、Au W、Mn、Pt、Ti、Zr、B、Cr、Fe、Co、Ni、Pd、Sb、Ta、Al、ln、Cu、Sn、Te、Zn、Bi等元素中选择一种以上构成的层，所述读取层是由从Ge、Sb、Te等元素中选择一种以上元素制成。
2.如权利要求1所述的超高显像度光记录媒介，其特征在于：所述记录层的厚度为1nm以上、30nm以下。
3.如权利要求1所述的超高显像度光记录媒介，其特征在于：所述读取层以所述记录层为基准，可以叠加在贴近所述基板的位置或离所述基板很远的位置中任意一处位置上。
4.如权利要求1所述的超高显像度光记录媒介，其特征在于：所述读取层的厚度为3nm以上、200nm以下。
5.如权利要求1所述的超高显像度光记录媒介，其特征在于：所述记录层的两接触面上叠加介电体层。
6.如权利要求1所述的超高显像度光记录媒介，其特征在于：所述读取层的两接触面上叠加介电体层。
7.一种超高显像度光记录媒介，其在光的衍射界限以下生成标记，并利用光照射该标记进行存储和读取，其特征在于：所述光记录媒介包括基板、记录层和读取层；其中，所述记录层是由硅元素和从Ag、Au、W、Mn、Pt、Ti、Zr、B、Cr、Fe、Co、Ni、Pd、Sb、Ta、Al、ln、Cu、Sn、Te、Zn、Bi等元素中选择一种以上构成的混合层，所述读取层是由从Ge、Sb、Te等元素中选择一种以上元素制成。
8.如权利要求7所述的超高显像度光记录媒介，其特征在于：所述记录层的厚度为1nm以上、30nm以下。
9.如权利要求7所述的超高显像度光记录媒介，其特征在于：所述读取层以所述记录层为基准，可以叠加在贴近所述基板的位置或离所述基板很远的位置中任意一处位置上。
10.如权利要求7所述的超高显像度光记录媒介，其特征在于：所述读取层的厚度为3nm以上、200nm以下。
11.如权利要求7所述的超高显像度光记录媒介，其特征在于：所述记录层的两接触面上叠加介电体层。
12.如权利要求7所述的超高显像度光记录媒介，其特征在于：所述读取层的两接触面上叠加介电体层。
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