[发明专利]焊料凸块的制造方法有效
申请号: | 200610147806.9 | 申请日: | 2006-12-22 |
公开(公告)号: | CN101207048A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
发明(设计)人: | 王继明;李润领;孟津;梅娜 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 焊料 制造 方法 | ||
1.一种焊料凸块的制造方法,包括:
提供一具有引线焊块的半导体基底;
在所述引线焊块上至少形成一金属层;
在所述金属层上形成光刻胶层,并图形化形成开口,所述开口位于所述引线焊块上方相应位置,且所述开口底部露出所述金属层;
用电镀法在所述开口中形成焊料凸块,所述电镀法中电流的平均电流密度为3至4ASD;
去除所述光刻胶层和未被所述焊料凸块覆盖的金属层;
对所述焊料凸块回流。
2.如权利要求1所述的焊料凸块的制造方法,其特征在于:所述焊料凸块为锡银合金。
3.如权利要求2所述的焊料凸块的制造方法,其特征在于,所述电镀形成锡银合金的步骤如下:将所述金属层连接至直流电源的负极,并使第一电流值的电流流过所述金属层,直至所述焊料凸块填满所述开口;
至少使一大于第一电流值的第二电流值的电流流过所述金属层,持续时间为3至10分钟。
4.如权利要求3所述的焊料凸块的制造方法,其特征在于:所述第一电流值为0.45至0.65A。
5.如权利要求1所述的焊料凸块的制造方法,其特征在于:所述回流工艺步骤如下:
在惰性气体环境下,将所述焊料凸块加热至第一温度,并持续时间30至60分钟;
将所述焊料凸块加热至高于第一温度的第二温度,并持续时间30至60分钟;
将所述焊料凸块加热至高于第二温度的第三温度,并持续时间30至60分钟;
将所述焊料凸块降温至小于第一温度的第四温度,并持续时间10至50分钟。
6.如权利要求1所述的焊料凸块的制造方法,其特征在于:所述金属层为钛、钨、铬、钛化钨、铜、镍中的一种或组合。
7.一种焊料凸块的制造方法,包括:
提供一金属层的半导体基底,在所述金属层上形成有光刻胶层,在所述光刻胶层中形成有底部露出所述金属层的开口;
将所述金属层连接至直流电源的阴极,使第一电流值的电流流过所述金属层,以执行第一步电镀,直至所述焊料凸块填满所述开口,并使流过所述开口底部的金属层的电流的平均电流密度为3至4ASD;
至少使一大于第一电流值的第二电流值的电流流过所述金属层,并使流过所述开口底部的金属层的电流的平均电流密度为3至4ASD;
去除所述光刻胶层;
去除未被所述焊料凸块覆盖的金属层;
对所述焊料凸块回流。
8.如权利要求7所述的焊料凸块的制造方法,其特征在于:所述填充的焊料为锡和银。
9.如权利要求8所述的焊料凸块的制造方法,其特征在于:所述焊料中银的含量为1.8至2.8%。
10.如权利要求7所述的焊料凸块的制造方法,其特征在于:所述第一电流值为0.45至0.65A。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造