[发明专利]多域液晶显示器有效

专利信息
申请号: 200610121974.0 申请日: 2006-08-30
公开(公告)号: CN101135785A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 蔡易宬;詹建廷;韩西容;王文俊 申请(专利权)人: 胜华科技股份有限公司
主分类号: G02F1/133 分类号: G02F1/133
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 任默闻
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 液晶显示器
【说明书】:

技术领域

发明是关于一种具有高开口率的多域配向液晶显示器。

背景技术

已知利用介电异向性(dielectric anisotropy)为负的负型液晶材料,构成垂直配向(vertical alignment)或同向式配向(homeotropic alignment)的液晶配向方式,因未施加电压时,液晶分子即以垂直基板方式排列,故可提供良好的对比(contrast)表现。然而,通常垂直配向式液晶显示器(verticallyaligned LCD)为形成多域分割效果,其所匹配的结构会有些许漏光或是多域分割配置能力不足的情形。

图1A为剖面示意图,显示一已知多域垂直配向液晶显示器(multi-domain vertically aligned LCD;MVA LCD)的设计。如图1A所示,其是在上、下基板102、104上分别形成凸起(bump)106,其上再形成覆盖凸起(bump)106的垂直配向膜108,使垂直配向的液晶分子112在未施加电压时即具有朝不同方向倾斜的预倾角(pre-tilt angle),藉以控制施加电压后的液晶分子112倾斜方向。当施加电压后,液晶层即可分割为多个分别具不同倾斜方向的液晶微域,以有效改善不同观察角度的灰阶显示状态下的视角特性。再者,作为提供预倾角的域边界规制结构(regulation structure)并不限定为凸起106,也可如图1B所示,在基板114上形成凹面结构116也可。

如图1A及图1B所示,形成凸起106或凹面结构116的方式虽可达到制造多个液晶微域的效果,然而,在未施加电压(Voff)的状态下,比较穿透光I1及I2的光路可知,因该域边界规制结构会导致液晶配向并非完全垂直,故行经倾斜液晶分子的穿透光I2光路会具有多余的光程差值(Δnd≠0)而造成漏光。因此,另需通过外贴补偿膜方式将漏光消除以提高对比。

图2为一剖面示意图,显示另一多域垂直配向液晶显示器的设计。如图2所示,利用在基板202的透明电极204上所形成的狭缝(slit)206,可控制液晶分子208在施加电压后的倾倒方向。然而,在电极204处形成狭缝206的方式,须仔细考虑狭缝206本身宽度以及两狭缝206之间的距离等等,否则由狭缝206产生使液晶分子208倾倒的力量容易不足。再者,该形成狭缝206的设计,造成液晶分子208往左右任一方向转动的能量相等,而使液晶分子208在空间中的配向分布产生不连续的错向缺陷(disclination)。该错向缺陷区域210在狭缝206上方及两狭缝206间都容易形成,而降低整体光穿透率。

再者,上述在像素结构中形成凸起106、凹面结构116或电极狭缝206的方式,虽可达到制造多个液晶微域的效果,但分布这些结构会导致有效显示区域(active areas)减少,也即产生像素结构开口率下降的问题。

发明内容

因此,本发明的目的在于提供一种液晶显示器,其能避免上述已知多域配向设计的种种问题且具有良好的开口率。

依本发明的设计,一种液晶显示器包含多个第一及第二图像元素,该第一及第二图像元素在一反转驱动时序控制的同一画面下具有彼此相反的极性。各个第一及第二图像元素具有一第一及一第二延伸部,第一延伸部邻近第二图像元素的至少一侧边且第二延伸部邻近第一图像元素的至少一侧边,藉以产生边缘电场。另外,一图像元素的像素电极延伸部可叠合另一图像元素的共用配线以形成像素所需的储存电容,且像素电极延伸部及共用配线可与扫描线或数据线形成位置叠合。

依本发明的设计,一种多域液晶显示器,包含彼此相向的一第一及一第二透明基板;一液晶层,介设于该第一及该第二透明基板间;一共享电极,设置于该第一透明基板上;一第一金属层,形成于该第二透明基板上;一第一介电层,形成于该第二透明基板上并覆盖该第一金属层;一第二金属层,形成于该第一介电层上;一第二介电层,形成于该第一介电层上并覆盖该第二金属层;多条共用配线,形成于该第二介电层上;一第三介电层,形成于该第二介电层上并覆盖这些共用配线;及多个第一及第二像素电极,交替分布于该第三介电层上,这些第一及第二像素电极在一反转驱动时序控制的同一画面下具有彼此相反的极性。

其中各该第一及第二像素电极分别具有一第一及一第二延伸部,各该第一延伸部邻近各该第二像素电极的至少一侧边,且各该第二延伸部邻近各该第一像素电极的至少一侧边。

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