[发明专利]有机发光元件

说明书

技术领域

本发明有关一种有机发光元件，特别是有关于一种有机电激发光元件。

背景技术

主动式阵列(active-matrix)架构于利用有机发光二极管(Organic Light-Emitting Device，OLED)的高效能显示器上已经实施有年。因为移除基板的光学透明性与像素的OLED填充因子的限制条件，故采用顶发射(top-emitting)OLED结构是有利于主动式阵列OLED的。另一方面，倒置式的有机发光二极管(invertedOLED)，其具有一反射式阴极(reflective cathode)于底部及一半导体透明阳极于顶部，并使得n型晶体管于主动式阵列OLED的像素电路上的合理利用是可行的。

然而，倒置式顶发射型OLED的主要挑战在于制备一可提供有效电子射出的反射式阴极。一般而言，反射式阴极的制备于制作工艺中涉及处理高反应(highlyreactive)的具有低功函数(low-work-function)的金属。一种沉积方式是将沉积金属直接作为阴极层，然而，改变接触接脚的形成步骤会降低电子射出的能力，再者，此种显示器的制作方法是不切实务的。另一种用来制作来自底部阴极的电子射出的方式是共沉积一反应性金属与有机电子传输材料(organic electron-transport materials)以形成一n型掺杂层。此外，在金属掺质扩散进而影响操作可信度方面也尚待解决。

发明内容

为了解决上述问题，本发明目的之一是提供一种有机发光元件，于阴极与电子传输层之间加入低功函数的金属层，以改善元件效率及操作稳定度。

本发明目的之一是提供一种倒置式有机发光元件，于阴极与n型掺杂层之间加入薄镁以改善元件亮度衰减的情形。

为了达到上述目的，本发明的一种有机发光元件，包含：一基板；一阴极与对应设置的一阳极，设置于该基板上；一空穴传输层，位于该阴极与该阳极之间；一电子传输层，位于该空穴传输层与该阴极之间；及一电子注入层，位于该阴极与该电子传输层之间，其中该电子注入层的材料为碱土金属。

以下通过配合附图对本发明的具体实施例详加说明，当更容易了解本发明的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。

附图说明

图1A为根据本发明的一较佳实施例的倒置式有机发光元件的剖面示意图。

图1B为根据本发明的另一较佳实施例的有机发光元件的剖面示意图。

图2A与图2B分别为不具电子注入层与加入电子注入层的元件电压对亮度、电流密度的曲线图。

图3为上述两种结构于100cd/m²的起始亮度下、相对亮度衰减的情形。

图4为上述两种结构于100cd/m²的起始亮度下、操作电压增加的情形。

具体实施方式

以下是以一较佳实施例来说明本发明的有机发光元件。

此处所使用的一材料层包含一材料的区域，其厚度相较于其长与宽而言是较薄的，例如薄板(sheet)、箔(foil)、薄层(film)、叠层(laminations)、或镀层(coatings)等等。此处所使用的层不需要是平面的，但能够弯曲、弯折或其他外形，举例来说，至少一部分包覆其他部分。此处所谓的层也能够包含多子层(sub-layer)，也能够是各个分离部分的集合。

请参阅图1A，为根据本发明的一较佳实施例的倒置式有机发光元件的剖面示意图。如图中所示，一倒置式有机发光二极管10包含一底材102(substrate)、一阴极104(cathode)、一电子传输层106(electron-transport layer)、一空穴传输层108(hole-transport layer)与一阳极200(anode)。于一实施例中，底材102可以是玻璃基板、一塑胶基板、或一挠性基板。其次阴极104位于底材102上，可以是透明、不透明(opaque)或是可反射的单层或组合结构，例如一铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)、铟锌氧化物(IZO)、金、银、铂、镍、铬、钼、铜、铝、钙或上述的组合。至于阳极200也可以是透明、不透明或是可反射的单层或组合结构，例如可以为金、铂、锂、镁、钙、铝或银等单一导电层，或是铟锡氧化物、铟锌氧化物、氟化锂/铝、铍/铝或镁/铝等组合结构。