[发明专利]用于抛光多晶硅的化学机械抛光液无效
| 申请号： | 200610116122.2 | 申请日： | 2006-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN101143996A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 荆建芬;杨春晓;王麟 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09G1/18;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海虹桥正瀚律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203上海市浦东新区张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 抛光 多晶 化学 机械抛光 | ||
1.一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液，该抛光液包括研磨颗粒和水，其特征在于：还包括一种或多种氧化剂。
2.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的氧化剂为：
I、含有至少一个过氧基(——O——O——)的化合物；
II、含有一个处于最高氧化态的元素的化合物。
3.如权利要求2所述的抛光液，其特征在于：所述的氧化剂为：过氧化氢及其衍生物、过氧化脲、过氧甲酸、过氧乙酸、过硫酸盐、过碳酸钠、高碘酸及其盐、高氯酸及其盐或高硼酸及其盐中的一种或多种。
4.如权利要求1至3任一所述的抛光液，其特征在于：所述的氧化剂的重量百分比浓度为0.1～30％。
5.如权利要求4所述的抛光液，其特征在于：所述的氧化剂的重量百分比浓度为0.5～20％。
6.如权利要求1至3任一所述的抛光液，其特征在于：所述的抛光液的pH值为7～12。
7.如权利要求1至3任一所述的抛光液，其特征在于：所述的研磨颗粒为二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铈、二氧化钛，覆盖铝的二氧化硅、掺杂铝的二氧化硅和/或高分子研磨颗粒。
8.如权利要求7所述的抛光液，其特征在于：所述的研磨颗粒粒径为30～150nm。
9.如权利要求8所述的抛光液，其特征在于：所述的研磨颗粒粒径为30～120nm。
10.如权利要求7所述的抛光液，其特征在于：所述的研磨颗粒重量百分比浓度为0.5～30％。
11.如权利要求10所述的抛光液，其特征在于：所述的研磨颗粒重量百分比浓度为2～30％。
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