[发明专利]多域液晶显示器有效

专利信息
申请号: 200610076369.6 申请日: 2006-04-20
公开(公告)号: CN101059608A 公开(公告)日: 2007-10-24
发明(设计)人: 王文俊;李建璋;刘锦璋;蔡哲福;周怡伶 申请(专利权)人: 胜华科技股份有限公司
主分类号: G02F1/133 分类号: G02F1/133;G02F1/1343;G02F1/136;G02F1/1335;H01L29/786
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 汤在彦
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 液晶显示器
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种多域液晶显示器,尤其是指一种利用边缘电场效应(fringefield effect)获得广视角效果的多域液晶显示器。

背景技术

公知利用介电各向异性(dielectric anisotropy)为负的负型液晶材料,构成垂直配向(vertical alignment)或同向式配向(homeotropic alignment)的液晶配向方式,因未施加电压时液晶分子即以垂直基板方式排列,故可提供良好的对比(contrast)表现。然而,一垂直配向式液晶显示器(vertically alignedLCD)通常在不同观察角度的灰阶(gray level)显示状态下具有不佳的视角特性。因此,不同的公知设计被提出以改善上述情况。

图1A为剖面示意图,显示一公知多域垂直配向液晶显示器(multi-domainvertically aligned LCD;MVA LCD)的设计。如图1A所示,其是在上、下基板102、104上分别形成凸体(bump)106,其上再形成覆盖凸体(bump)106的垂直配向膜108,使垂直配向的液晶分子112在未施加电压时即具有朝不同方向倾斜的预倾角(pre-tilt angle),以控制施加电压后的液晶分子112倾斜方向。当施加电压后,液晶层即可分割为多个分别具不同倾斜方向的液晶微域,以有效改善不同观察角度的灰阶显示状态下的视角特性。再者,作为提供预倾角的域边界规制结构(regulation structure)并不限定为凸体106,亦可如图1B所示,于基板114上形成凹面结构116亦可。

如图1A及图1B所示,形成凸体106或凹面结构116方式虽可达到制造多个液晶微域的效果,然而,在未施加电压(Voff)的状态下,比较穿透光I1及I2的光路可知,因该域边界规制结构会导致液晶配向并非完全垂直,故行经倾斜液晶分子的穿透光I2光路会具有多余的光程差值(△nd≠0)而造成漏光。因此,另需通过外贴补偿膜的方式将漏光消除以提高对比。

图2为一剖面示意图,显示另一多域垂直配向液晶显示器的结构。如图2所示,利用在基板202的透明电极204上所形成的开缝(slit)206,可控制液晶分子208在施加电压后的倾倒方向。然而,在电极204处形成开缝206的方式须仔细考虑上下基板的配向误差、开缝206本身宽度以及两开缝206之间的距离等等,否则通过开缝206产生使液晶分子208倾倒的力量容易不足。再者,该形成开缝206的结构,造成液晶分子208往左右任一方向转动的能量相等,而使液晶分子208在空间中的配向分布产生不连续的错向缺陷(disclination)。该错向缺陷区域210在开缝206上方及两开缝206间皆容易形成,而降低整体光穿透率。

发明内容

本发明要解决的技术问题是:提供一种多域液晶显示器,其能改善上述公知结构的种种问题。

本发明的技术解决方案是:一种多域液晶显示器,其包含:

彼此相向的一第一透明基板及一第二透明基板;

一液晶层,介设于该第一透明基板及该第二透明基板间,该液晶层是由具有负介电各向异性的液晶分子材料所构成;

一第一共用电极,设置于该第一透明基板上;

多道彼此正交的扫描线及数据线,形成于该第二透明基板上,两相邻的扫描线及两相邻的数据线界定出一像素区域;

对应该像素区域设置的一切换元件;

一第一介电层,形成于该第二透明基板上并覆盖该扫描线;

一第二介电层,形成于该第一介电层上并覆盖该数据线;

一像素电极,形成于该第二介电层上;

一第三介电层,形成于该第二透明基板上并覆盖该像素电极;及

一第二共用电极,形成于该第三介电层上,该第二共用电极包含多个条状区段,所述条状区段界定出与该像素电极叠合的多个围绕区域,且各条状区段均与该像素电极构成一边缘电场形成(induced,引致)区,以产生多个具有不同液晶分子倾斜方向的液晶微域。

本发明还提出另一种多域液晶显示器,其包含:

一滤光片基板,其上形成一共用电极;

一有源元件阵列基板,包含:

一透明基板;

一第一金属层,形成于该透明基板上,该第一金属层界定出一扫描线及一切换元件的栅极区域;

一第一介电层,覆盖该第一金属层;

一第二金属层,形成于该第一介电层上,该第二金属层界定出一数据线及该切换元件的漏极及源极区域;

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