[发明专利]半导体器件栅极的制造方法有效
| 申请号： | 200610030811.1 | 申请日： | 2006-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101140873A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 马擎天;张海洋;刘乒 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 栅极 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件栅极的制造方法，包括：
在半导体衬底上形成介质层；
在所述介质层上形成多晶硅层；
在所述多晶硅层上形成掩膜层并图案化所述掩膜层以定义栅极的位置；
刻蚀所述掩膜层和多晶硅层形成栅极；
去除黏附于所述栅极根部的聚合物；
移除所述掩膜层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：去除黏附于所述栅极根部的聚合物的步骤包括：
氧化黏附于所述栅极根部的聚合物；
湿法清洗氧化后的聚合物。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述氧化为氧气等离子体各向异性腐蚀。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述氧气等离子体各向异性腐蚀的工艺参数包括：反应室压力为2～15mTorr，射频功率为100～1000W；衬底偏置电压为10～200V，氧气的流量为50～500sccm。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述刻蚀时间为50～600S。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述掩膜层包括光致抗蚀剂和抗反射层。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述光致抗蚀剂层的厚度为1500～2500。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述抗反射层为富硅聚合物，厚度为1500～2000。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述掩膜层采用灰化工艺去除。
10.一种半导体器件栅极的制造方法，包括：
在半导体衬底上形成介质层；
在所述介质层上形成多晶硅层；
在所述多晶硅层上形成掩膜层并图案化所述掩膜层以定义栅极的位置；
刻蚀所述掩膜层和多晶硅层形成栅极；
氧化黏附于所述栅极根部的聚合物；
湿法去除氧化后的聚合物；
移除所述掩膜层。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于：所述氧化为具有方向性的氧化。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述方向性氧化的工艺参数包括：反应室压力为2～15mTorr，射频功率为100～1000W；衬底偏置电压为10～200V，氧气的流量为50～500sccm。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于：所述刻蚀时间为50～600S。
14.如权利要求10所述的方法，其特征在于：所述掩膜层包括光致抗蚀剂和抗反射层。
15.如权利要求10所述的方法，其特征在于：所述掩膜层采用灰化工艺去除。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
