[发明专利]局部硅氧化隔离制造工艺方法无效
| 申请号： | 200610030309.0 | 申请日： | 2006-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101131956A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 陈晓波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 局部 氧化 隔离 制造 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种局部硅氧化隔离制造工艺方法，包括如下步骤：
在硅基板上垫积上一层二氧化硅层，接着在该二氧化硅层上再垫积上一层氮化硅层；
通过一次光刻，把需要生长LOCOS的区域打开；
用刻蚀工艺依次把光刻打开处的氮化硅层和二氧化硅层刻掉；其特征在于中：
接着，在光刻胶开口区域进行一次非晶态注入；
然后，再去残余光刻胶；
利用热氧生长法通过硅和氧气的反应生长出一层二氧化硅层；
最后将硅基板上其余区域的氮化硅层和二氧化硅层依次刻掉，形成LOCOS结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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