[发明专利]分离栅浮栅尖端的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种嵌入式闪存工艺，尤其涉及一种分离栅浮栅尖端的制造方法。

背景技术

分离栅闪存通过浮栅尖端到控制栅之间的F-N隧道效应来实现擦除，一般来讲，浮栅尖端越尖，越容易擦除，从而反复擦除的次数越多。目前的浮栅尖端的制造流程为：

1.在硅衬底表面热氧化生长一层氧化层。

2.浮栅淀积，一般采用低压化学气相淀积一层多晶硅

3.热氧化生长一层氧化物

4.低压化学气相淀积一层氮化硅

5.光刻定义浮栅图形和氮化硅刻蚀

6.热氧化生长一层氧化物。

7.去掉氮化硅。

8.以氧化物为阻挡层，进行多晶硅刻蚀。

依据上述流程生产的浮栅尖端比较钝，从而造成了闪存反复擦除的次数较少，缩短了闪存的使用寿命。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种分离栅浮栅尖端的制造方法，它可以使浮栅尖端变得锐利，从而提高闪存反复擦写的次数，进而延长了闪存的使用寿命。

为了解决以上技术问题，本发明提供了一种分离栅浮栅尖端的制造方法，它包括以下步骤：第一步，在硅衬底表面热氧化生长一层氧化层；第二步，浮栅淀积；第三步，热氧化生长一层氧化物；第四步，低压化学气相淀积一层氮化硅；第五步，光刻定义浮栅图形和氮化硅刻蚀，第六步，多晶硅刻蚀；第七步，热氧化生长一层氧化物；第八步，去掉氮化硅；第九步，以氧化物为阻挡层，进行多晶硅刻蚀。

所述第六步多晶硅刻蚀的刻蚀量为10-500埃。

因为本发明用在原来工艺基础上，增加了一步多晶硅刻蚀，可以多刻蚀10-500埃，这样使尖端的角度由目前的大约50度减小到20度以下，所以可以使浮栅尖端变得锐利，从而提高闪存反复擦写的次数，进而延长了闪存的使用寿命。

具体实施方式

本发明工艺流程可以采用如下：

第一步，在硅衬底表面热氧化生长一层氧化层；

第二步，浮栅淀积，可以采用低压化学气相淀积一层多晶硅；

第三步，热氧化生长一层氧化物；

第四步，低压化学气相淀积一层氮化硅；

第五步，光刻定义浮栅图形和氮化硅刻蚀；

第六步，多晶硅刻蚀；

第七步，热氧化生长一层氧化物；

第八步，去掉氮化硅；

第九步，以氧化物为阻挡层，进行多晶硅刻蚀。

其中，第六步的多晶硅刻蚀的刻蚀量大概在10-500埃之间。比如可以刻蚀200埃，刻蚀的工艺方法可以采用干法刻蚀，经过这样的刻蚀，浮栅尖端的角度可以从原来的50度减小到20度。