[发明专利]晶片检测方法有效
| 申请号: | 200610027587.0 | 申请日: | 2006-06-12 |
| 公开(公告)号: | CN101090083A | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
| 发明(设计)人: | 左仲;王明珠;吕秋玲;赵庆国 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/95;G01R31/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
| 地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶片 检测 方法 | ||
1.一种晶片检测方法,其特征在于,包括:
a.利用自动目检工具中的光学处理单元获取晶片光学图像;
b.对晶片光学图像进行灰度计算及分区;
c.确定各分区内的标准芯片;
d.将不同分区内的其它芯片同其所在分区内的标准芯片进行灰度值对比,检测出缺陷芯片。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述标准芯片和其它芯片内均包含复数个像素单元。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:所述标准芯片和其它芯片均通过复数个像素单元构成的像素矩阵表示。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:对晶片光学图像进行灰度计算后,所述像素矩阵具有确定的多级灰度值。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述分区的具体方式根据产品状况及工艺条件确定。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于:所述分区为晶片光学图像内的任意区域。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于:所述分区为晶片光学图像内呈同心环状分布的不同区域。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于:所述分区为晶片光学图像内呈条状分布的不同区域。
9.根据权利要求6所述的方法,其特征在于:所述分区内标准芯片的选取根据产品状况及工艺条件确定。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:用以代表所述分区内标准芯片的像素矩阵内各像素单元具有的灰度值通过对所处分区内代表任取的复数个芯片的像素矩阵内各相应像素单元的灰度值取平均值得到。
11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:进行所述灰度值对比之前,需预先设定灰度值允许偏差范围;所述灰度值允许偏差范围由具体的产品要求及工艺条件确定。
12.根据权利要求12所述的方法,其特征在于:当代表晶片内其它芯片的像素矩阵内某一像素单元或多个像素单元与标准芯片内相应像素单元的灰度值偏差超出所述允许偏差范围时,判定所述被测芯片为缺陷芯片。
13.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述对晶片光学图像进行灰度计算及分区的顺序为先进行灰度计算,后分区;或者先分区,后进行灰度计算。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610027587.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:投影仪的光学系统和相应的投影仪
- 下一篇:定位装置与方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





