[发明专利]砷化镓/砷化铝分布布拉格反射镜的湿法腐蚀方法无效
申请号: | 200610011792.8 | 申请日: | 2006-04-26 |
公开(公告)号: | CN101064411A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 李若园;徐波;王占国 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/187;C23F1/16;H01L21/3063 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 砷化镓 砷化铝 分布 布拉格 反射 湿法 腐蚀 方法 | ||
1、一种砷化镓/砷化铝分布布拉格反射镜的湿法腐蚀方法,其特征在于,包括如下步骤:
(A)在衬底上,使用分子束外延的方法外延生长砷化镓缓冲层;
(B)在砷化镓缓冲层上生长多个周期分布布拉格反射镜;
(C)对分布布拉格反射镜进行光刻,形成光刻胶图形,该光刻胶图形中光具有光刻胶保护的条宽;
(D)用腐蚀溶液腐蚀掉部分周期的分布布拉格反射镜;
(E)然后交替使用腐蚀溶液和选择性腐蚀液分别腐蚀分布布拉格反射镜,所述的选择性腐蚀液为柠檬酸与过氧化氢混合的溶液用来选择性腐蚀多个周期分布布拉格反射镜中的砷化镓层,氢氟酸、氟化铵和水混合的溶液用来选择性腐蚀多个周期分布布拉格反射镜中的砷化铝层。
2、根据权利要求1所述的砷化镓/砷化铝分布布拉格反射镜的湿法腐蚀方法,其特征在于,其中衬底为半绝缘砷化镓。
3、根据权利要求1所述的砷化镓/砷化铝分布布拉格反射镜的湿法腐蚀方法,其特征在于,其中砷化镓缓冲层的厚度为200nm。
4、根据权利要求1所述的砷化镓/砷化铝分布布拉格反射镜的湿法腐蚀方法,其特征在于,其中多个周期分布布拉格反射镜的周期数为7个。
5、根据权利要求1所述的砷化镓/砷化铝分布布拉格反射镜的湿法腐蚀方法,其特征在于,其中所述的腐蚀溶液为磷酸和过氧化氢及水混合的溶液。
6、根据权利要求1所述的砷化镓/砷化铝分布布拉格反射镜的湿法腐蚀方法,其特征在于,其中砷化镓层的厚度为70nm,砷化铝层的厚度为158nm。
7、根据权利要求1所述的砷化镓/砷化铝分布布拉格反射镜的方法腐蚀方法,其特征在于,其中光刻胶图形中光刻胶保护的条宽为60nm,条宽的间距为140nm,以便于腐蚀深度的测量和形貌观察。
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