[发明专利]辐射存储荧光体及其应用

权利要求书

1.一种光激励存储荧光体，该光激励存储荧光体包括至少一种+3价氧化态稀土元素，其中一旦受到X射线、γ射线或UV辐射，则+3价氧化态降阶为+2价氧化态。

2.根据权利要求1的光激励存储荧光体，其中所述稀土元素是从包括铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥的组中选取的。

3.根据权利要求1或2的光激励存储荧光体，其中所述稀土元素是从包括钐、镝、铕、和钆的组中选取的。

4.根据权利要求1至3中任何一项的光激励存储荧光体，其中所述稀土元素是钐。

5.根据前述任何一项权利要求的光激励存储荧光体，其中所述荧光体包括至少一种卤素元素。

6.根据权利要求5的光激励存储荧光体，其中所述卤素元素是从包括氟、氯、碘和溴的组中选取的。

7.根据权利要求5或6的光激励存储荧光体，其中所述卤素元素是溴或氯。

8.根据权利要求5或6的光激励存储荧光体，其中所述卤素元素是氯。

9.根据前述任何一项权利要求的光激励存储荧光体，其中所述荧光体还包括碱土金属。

10.根据权利要求9的光激励存储荧光体，其中所述碱土金属是从包括钡、钙和锶的组中选取的。

11.根据权利要求10的光激励存储荧光体，其中所述碱土金属是钡或锶。

12.根据权利要求10或11的光激励存储荧光体，其中所述碱土金属是钡。

13.根据前述任何一项权利要求的光激励存储荧光体，其中所述光激励存储荧光体由以下公式(A)表示：

MeX¹X²:RE³⁺，其中Me表示金属离子，

X¹和X²是相互独立地从包括氯、氟、溴和碘的组中选取的卤原子；以及

RE是稀土元素。

14.根据权利要求13的光激励存储荧光体，其中X¹和X²彼此不相同。

15.根据权利要求13或14的光激励存储荧光体，其中所述X¹是F。

16.根据权利要求13至15中任何一项的光激励存储荧光体，其中所述由公式(A)表示的光激励存储荧光体中的金属离子Me是二价金属离子。

17.根据权利要求16的光激励存储荧光体，其中所述由公式(A)表示的光激励存储荧光体中的金属离子Me是碱土金属或第II族金属离子。

18.根据权利要求17的光激励存储荧光体，其中所述由公式(A)表示的光激励存储荧光体中的金属离子Me是碱土金属离子。

19.根据权利要求18的光激励存储荧光体，其中所述碱土金属是锶、钡或钙。

20.根据前述任何一项权利要求的光激励存储荧光体，其中所述光激励存储荧光体包括二价金属卤化物和稀土元素。

21.根据前述任何一项权利要求的光激励存储荧光体，其中所述光激励存储荧光体是碱金属氟卤化物，该碱金属氟卤化物由三价氧化态稀土金属激活。

22.根据权利要求21的光激励存储荧光体，其中所述碱金属氟卤化物由从包括钐、铕、镝和钆的组中选取的稀土金属激活。

23.根据权利要求22的光激励存储荧光体，其中所述稀土金属是钐或镝。

24.根据权利要求23的光激励存储荧光体，其中所述稀土金属是钐。

25.根据前述任何一项权利要求的光激励存储荧光体，其中所述光激励存储荧光体由从包括BaFCl:Sm³⁺、CaFCl:Sm³⁺和SrFCl:Sm³⁺的组中选取的公式表示。

26.根据前述任何一项权利要求的光激励存储荧光体，其中所述光激励存储荧光体具有四面体或同形晶体结构。