[发明专利]四氢吡啶基吡唑大麻素调节剂

权利要求书

1.一种具有式(I)结构的化合物或其盐、异构体、前药、代谢产物或多晶型物：

其中

式(I)中2-3位和3a-7a位之间的虚线表示当存在X₁R₁时，两个双键各自出现的位置；

式(I)中3-3a位和7a-1位之间的虚线表示当存在X₂R₂时，两个双键各自出现的位置；

式(I)中7位和X₇R₇之间的虚线表示双键的位置；

X₁不存在或者为低级亚烷基；

X₂不存在或者为低级亚烷基；

其中X₁R₁和X₂R₂只能有一个存在；

X₃不存在、为低级烷撑基、低级烷叉基或-NH-；

X₄不存在或者为低级亚烷基；

X₅不存在或者为低级亚烷基；

X₆不存在或者为低级亚烷基；

当7位和X₇R₇之间的虚线不存在时，X₇不存在或者为低级亚烷基；

当7位和X₇R₇之间的虚线存在时，X₇不存在；

R₁选自氢、烷基(在一或多个位置被卤素、羟基或低级烷氧基任选取代)、磺酰基烷基、芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基，其中芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基各自在一或多个位置被卤素、磺酰基氨基、磺酰基氨基烷基、烷基(在一或多个位置被卤素、羟基或低级烷氧基任选取代)、羟基或低级烷氧基任选取代；

R₂选自氢、烷基(在一或多个位置被卤素、羟基或低级烷氧基任选取代)、磺酰基烷基、芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基，其中芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基各自在一或多个位置被卤素、磺酰基氨基、磺酰基氨基烷基、烷基(在一或多个位置被卤素、羟基或低级烷氧基任选取代)、羟基或低级烷氧基任选取代；

R₃是-C(O)-Z₁(R₈)、-SO₂-NR₉-Z₂(R₁₀)或-C(O)-NR₁₁-Z₃(R₁₂)；

R₄是氢、卤素、烷基(在一或多个位置被卤素、羟基或低级烷氧基任选取代)、羟基或低级烷氧基；

R₅选自氢、烷基氨基、烷基氨基烷基、烷基(在一或多个位置被卤素、羟基或烷氧基任选取代)、甲酰基、酰基、酰基芳基、羧基、羰基烷氧基、羰基烷氧基芳基、氨基甲酰基、氨基甲酰基烷基、磺酰基烷基、磺酰基氨基、磺酰基氨基烷基、芳基、磺酰基芳基(任选在芳基的一或多个位置上被烷基、卤素、羟基或烷氧基任选取代)或杂环基；

R₆是氢、卤素、烷基(在一或多个位置被卤素、羟基或低级烷氧基任选取代)、羟基或低级烷氧基；

当7位和X₇R₇之间的虚线不存在时，X₇不存在或者为低级亚烷基，且R₇是氢、羟基、低级烷基、低级烷氧基、卤素、芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基，其中芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基各自在一或多个位置被羟基、氧代、低级烷基、低级烷氧基或卤素任选取代；

当7位和X₇R₇之间的虚线存在时，X₇不存在且R₇是CH-芳基或CH-杂环基，其中芳基或杂环基各自在一或多个位置被羟基、氧代、低级烷基、低级烷氧基或卤素任选取代；

R₈是芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基，其各自被一或多个羟基、氧代、卤素、氨基、氨基烷基、烷基氨基、烷基氨基烷基、烷基(在一或多个位置被卤素、羟基或低级烷氧基任选取代)、烷氧基(在一或多个位置被卤素或羟基任选取代)、羧基、羰基烷氧基、氨基甲酰基、氨基甲酰基烷基、芳基、氧基芳基、烷氧基芳基或杂环基任选取代；

R₉是氢或低级烷基；

R₁₀是氢、芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基，其中芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基各自被一或多个羟基、氧代、卤素、氨基、氨基烷基、烷基氨基、烷基氨基烷基、烷基(在一或多个位置被卤素、羟基或低级烷氧基任选取代)、烷氧基(在一或多个位置被卤素或羟基任选取代)、羧基、羰基烷氧基、氨基甲酰基、氨基甲酰基烷基、芳基、氧基芳基、烷氧基芳基或杂环基任选取代；

R₁₁是氢、低级烷基或酰基；

R₁₂是氢或者是芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基，其各自被一或多个羟基、氧代、卤素、氨基、氨基烷基、烷基(在一或多个位置被卤素、羟基或低级烷氧基任选取代)、烷氧基(在一或多个位置被卤素或羟基任选取代)、羧基、羰基烷氧基、氨基甲酰基、氨基甲酰基烷基、磺酰基氨基、磺酰基氨基烷基、芳基、氧基芳基、烷氧基芳基或杂环基任选取代；

Z₁和Z₂各自不存在或者为烷基；和

Z₃不存在或者是-NH-、-SO₂-或烷基(其中烷基在一或多个位置上被卤素、羟基、低级烷氧基、羧基或羰基烷氧基任选取代)。