[发明专利]应变传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种应变传感器，包括：

基板；

层积在所述基板上的微晶玻璃；以及

层积在所述微晶玻璃上的应变感应电阻器；且

其中，所述微晶玻璃是将具有互不相同的热机械常数的多种微晶玻璃粉焙烧而形成的复合微晶玻璃，并且

不同的所述微晶玻璃粉的组成是：MgO为35～50wt％、B₂O₃为10～30wt％、SiO₂为10～25wt％、BaO为3～25wt％、Al₂O₃为1～30wt％、SnO₂为1～5wt％、P₂O₅为5wt％以下，进而，由MgO、BaO、及Al₂O₃组成的群的含量之差中的至少1个在1～20wt％范围内。

2.根据权利要求1所述的应变传感器，其中，

所述热机械常数是结晶温度。

3.根据权利要求1所述的应变传感器，其中，

所述热机械常数是热膨胀系数。

4.根据权利要求1所述的应变传感器，其中，

所述热机械常数是转移点温度。

5.根据权利要求1所述的应变传感器，其中，

所述基板是金属基板。

6.根据权利要求1所述的应变传感器，其中，

在所述复合微晶玻璃与所述应变感应电阻器之间，配置有厚度为5～50μm的非晶质玻璃。

7.根据权利要求1所述的应变传感器，其中，

由多个所述应变感应电阻器通过配线而组成桥接电路，并且彼此的电阻值处于±5％的范围内。

8.根据权利要求1所述的应变传感器，其中，

在所述复合微晶玻璃的内部，内置有厚度为0.5～30μm的内部电极。

9.根据权利要求1所述的应变传感器，其中，

SiO₂与B₂O₃的含量之差在0.1～10wt％范围内。

10.根据权利要求1所述的应变传感器，其中，

多种所述微晶玻璃粉的平均粒径为0.5～20μm。

11.根据权利要求10所述的应变传感器，其中，

多种所述微晶玻璃粉彼此之间的平均粒径之差为5μm以下。

12.根据权利要求1所述的应变传感器，其中，

在所述复合微晶玻璃与所述应变感应电阻器之间，配置有SiO₂为40～80wt％，CaO为5～15wt％，PbO为3～15wt％，Al₂O₃为1～20wt％，ZrO₂为1～20wt％的非晶质玻璃。

13.一种根据权利要求1所述的应变传感器的制造方法，包括以下步骤：

在金属基板上，将由多种不同的微晶玻璃粉分散到树脂溶液中而制成的玻璃糊状物印刷成特定图案的步骤；

通过焙烧所述玻璃糊状物而形成复合微晶玻璃层的步骤；

在所述复合微晶玻璃层上形成电极及应变感应电阻器的步骤；以及

利用外涂层来覆盖所述电极与所述应变感应电阻器中的至少一者的步骤。

14.根据权利要求13所述的应变传感器的制造方法，其中，

形成所述电极的步骤是，对由以银为主体的导电粉分散到树脂溶液中而制成的电极糊状物进行焙烧的步骤。

15.一种根据权利要求12所述的应变传感器的制造方法，包括以下步骤：

在金属基板上层积复合微晶玻璃层和非晶质玻璃层的步骤，所述复合微晶玻璃层是对由多种不同的微晶玻璃粉分散到树脂溶液中而制成的玻璃糊状物进行焙烧而形成的，所述非晶质玻璃层是对由非晶质玻璃粉分散到树脂溶液中而制成的非晶质玻璃糊状物进行焙烧而形成的；

在所述非晶质玻璃层上形成电极及应变感应电阻器的步骤；以及

利用外涂层来覆盖所述电极与所述应变感应电阻器中的至少一者的步骤。