[发明专利]无接点晶圆级老化无效
申请号: | 200580042001.1 | 申请日: | 2005-12-20 |
公开(公告)号: | CN101160533A | 公开(公告)日: | 2008-04-09 |
发明(设计)人: | 陈健 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克股份有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接点 晶圆级 老化 | ||
1.一种用于执行晶圆级测试序列的方法,其包含:
将所述晶圆提供到测试腔室中;和
经由无线信号将功率和测试起始信号输出到晶圆。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述测试为老化测试。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述提供步骤包括将多个晶圆提供到所述测试腔室中,且所述输出步骤包括输出到所述多个晶圆。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述输出步骤包括输出对所述晶圆起始装置应力测试序列的信号。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述信号为测试启用信号。
6.根据权利要求4所述的方法,其中所述输出步骤包括对所述测试起始信号进行编码。
7.根据权利要求4所述的方法,其中所述信号包括将电压提供到所述晶圆上的特定元件的指令。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述输出步骤包含在所述腔室中产生RF信号。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述方法进一步包括在所述腔室中对所述晶圆进行加热。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述方法进一步包括在所述晶圆上提供内建老化测试电路,所述内建老化测试电路耦合到提供在所述晶圆上的装置。
11.一种用于提供内建测试工艺的方法,其包含:
在晶圆上提供内建测试电路;和
在所述晶圆上提供RF接口,所述RF接口耦合到所述内建测试电路。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述在所述晶圆上提供内建测试电路的步骤包括提供功率提取组件和解调器。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述功率提取器是全波整流器。
14.根据权利要求12所述的方法,其中所述解调器包括与所述内建测试电路的接口以向所述内建测试电路提供控制信号。
15.根据权利要求14所述的方法,其中所述解调器提供启用控制信号。
16.根据权利要求14所述的方法,其中所述解调器对经编码的启用控制信号进行解码。
17.根据权利要求11所述的方法,其中所述提供内建测试电路的步骤包括在所述晶圆的测试电路区域中提供至少一个BIST电路。
18.根据权利要求11所述的方法,其中所述提供内建测试电路的步骤包括在所述晶圆的晶粒区域中提供至少一个BIST电路。
19.根据权利要求11所述的方法,其中所述提供内建测试电路的步骤包括在所述晶圆的晶粒电路区域内经受老化的装置中提供至少一个BIST电路。
20.根据权利要求11所述的方法,其中所述方法进一步包括响应于提供到所述RF接口的信号而对所述晶圆上至少一个装置实施老化自测试的步骤。
21.根据权利要求20所述的方法,其中所述实施老化自测试的步骤包括在至少第一组电压条件下使装置的元件承受应力。
22.根据权利要求21所述的方法,其中所述实施老化自测试的步骤包括在至少第二组电压条件下使所述元件承受应力。
23.根据权利要求11所述的方法,其进一步包括在所述晶圆上提供至少一个天线的步骤。
24.根据权利要求23所述的方法,其进一步包括在所述晶圆上提供多个天线的步骤。
25.根据权利要求23所述的方法,其中所述在所述晶圆上提供多个天线的步骤包括为制造于所述晶圆上的晶粒中的每一半导体装置提供至少一个天线。
26.一种半导体晶圆,其包含:
至少一个内建测试控制电路,其耦合到所述晶圆上的装置;和
RF接口,其经耦合以向所述BIST电路提供功率和数据信号。
27.根据权利要求26所述的设备,其中多个装置提供在所述晶圆中,且其中为所述晶圆上的每一装置提供内建测试控制电路。
28.根据权利要求27所述的设备,其中每一测试控制电路均并入到所述装置中。
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