[发明专利]高精度基材支架举升设备及方法

说明书

技术领域

本发明大致上是有关于半导体制造，且特别是有关于一种用以达到形成在一基材上的一层次的一所希望厚度均匀性的方法与设备。

背景技术

制造现代半导体元件的主要步骤之一是通过气体化学反应形成一薄膜在一半导体基材上。这样的一沉积制程被称为化学气相沉积(CVD)。传统的热CVD制程是供应反应性气体至基材表面，其中在该基材表面上热诱发化学反应会发生以产生所希望的薄膜。等离子增强CVD制程通过施加射频(RF)能量至邻近基材表面的反应区域而促成了反应物气体的激化与/或分解，藉此产生一高反应性物种的等离子体。所被释放物种的高反应性降低了一化学反应发生所需要的能量，且因此记低了这样的CVD制程的所需要的温度。

在腔室内进行处理的期间，例如形成一层次在基材上，基材停置在一基材支撑件上。基材支撑件典型地为一基材加热器，该基材加热器在基材处理期间是支撑住且加热该基材。基材停置于加热器表面上方，并且热被供给至基材底部。一些基材加热器是被电阻式地加热，例如通过电性加热构件，譬如位于加热器表面下方或被嵌入在具有加热表面的一平板内的电阻式线圈。来自基材加热器的热在热驱动制程中为能量的主要来源，其中该热驱动制程是例如用以沉积包括有未掺杂硅玻璃(USG)、掺杂硅玻璃(譬如硼磷硅玻璃(BPSG))等等层次的热CVD。

基材支撑件典型地支撑住基材而相对于一气体分配面板，其中一反应物气体是被供给通过该面板而至腔室。面板为用以供给一或多种气体至腔室的气体分配构件的一零件。来自面板至基材的气体流影响形成在基材上层次的均匀性，例如层次的厚度。

发明内容

本发明实施例是有关于调整介于基材支撑件与气体分配构件的面板之间的间距，以达到形成在基材上的改善的层次的均匀性。基材支撑件与面板之间的间距影响了至基材表面的气体流与形成在基材表面上的层次的均匀性。介于基材与面板之间的间距典型地约为0.2吋。在一些制程中，基材是被置放成非常邻近于面板(例如距离0.1吋或更少)以增加薄膜沉积速率。缩短间距使得薄膜厚度均匀性对于基材与面板之间的间距均匀性更为敏感。

根据本发明一实施例，一种用于调整介于一腔室体与一升举板之间的一间距的装置，至少包含有将被装设至该腔室体的一装设螺栓的升举板。该装设螺栓包括有一螺栓刻纹表面。一轴衬能够被固定至该升举板，并且包括有一轴衬刻纹表面。一调整螺丝具有第一刻纹表面与第二刻纹表面，其中该第一刻纹表面刻纹地卡合于该装设螺栓的该螺栓刻纹表面，该第二刻纹表面刻纹地卡合于该轴衬的该轴衬刻纹表面。当该轴衬被固定至该升举板且该调整螺丝被旋转时，该些刻纹表面是用以使得该调整螺丝相对于该装设螺栓以第一速率在第一方向移动且该轴衬相对于该调整螺丝以第二速率在第二方向移动，其中该第二方向是相反于该第一方向且该第二速率是不同于该第一速率。

根据本发明另一实施例，一种用于调整介于一腔室体与一升举板之间的一间距的方法，该方法至少包含将一装设螺栓设置至该腔室体。该装设螺栓包括有一螺栓刻纹表面；该方法更包含提供一调整螺丝，该调整螺丝具有第一刻纹表面，其中该第一刻纹表面刻纹地卡合于该装设螺栓的该螺栓刻纹表面；提供一轴衬，该轴衬具有一轴衬刻纹表面，其中该轴衬刻纹表面刻纹地卡合于该调整螺丝的第二刻纹表面；可移动地将该轴衬耦接至该升举板；以及通过将该调整螺丝旋转而进行该间距的粗糙调整，其中该调整螺丝相对于该装设螺栓旋转，而该轴衬是与该调整螺丝一起旋转。接着，将该轴衬固定至该升举板。该方法更包含通过将该调整螺丝旋转而进行该间距的精细调整，其中该调整螺丝相对于该装设螺栓旋转以将该调整螺丝相对于该装设螺栓以第一速率在第一方向移动，且该调整螺丝相对于该轴衬旋转以将该轴衬与该升举板相对于该调整螺丝以第二速率在第二方向移动，其中该轴衬是固定至该升举板，而其中该第二方向是相反于该第一方向且该第二速率是不同于该第一速率。

附图说明

本发明的前述目的、特征与优点将可由前述说明与所伴随的图式而更佳了解，其中：

图1为根据本发明一实施例的一基材支撑件的简化前视图，其显示出一高度调整机构；

图2为图1的高度调整机构的部分侧视图，其显示出用于一测微计的沟槽；

图3为图1的高度调整机构的部分侧视图，其显示出用于量测高度调整的一测微计的使用；

图4显示对于一半导体制程中，沉积速率(单位时间的厚度)对基材与面板之间的间距的作图；

图5显示对于另一半导体制程中，沉积速率(单位时间的厚度)对基材与面板之间的间距的作图；

图6为根据本发明一实施例的基材支撑件升举方法的流程图；