[发明专利]用于测量与基底关联的电磁辐射响应特性的方法和设备

权利要求书

1.一种测量与基底关联的电磁辐射响应特性的方法，所述方法包括以下步骤：

产生电磁波，所述电磁波在达到基底之前穿过第一偏振滤光器，所述第一偏振滤光器具有第一光轴；

在所述电磁波的一部分从基底反射开来并穿过第二偏振滤光器之后捕获电磁波的该部分，所述第二偏振滤光器具有第二光轴，所述第一光轴非平行于第二光轴；

从捕获到的电磁波的部分确定与基底的第一坐标关联的第一光强值；

从捕获到的电磁波的部分确定与基底的第二坐标关联的第二光强值，所述第二光强值不同于第一光强值，所述第二坐标不同于第一坐标；以及

在电子存储装置中存储第一光强值和第二光强值的表示。

2.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

确定第一多个坐标落在第一预定光强值范围内，所述第一多个坐标包括第一光强值；

确定第一多个中的第一坐标数；

确定第二多个坐标落在第二预定光强值范围内，所述第二多个坐标包括第二光强值；

确定第二多个中的第二坐标数；和

在电子存储装置中存储第一数和第二数。

3.如权利要求2所述的方法，其中在电子存储装置中存储第一数和第二数的步骤包括在直方图中存储第一数和第二数。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述产生电磁波的步骤包括由闪光灯产生光脉冲，所述闪光灯与选自由下列滤光器组成的组中的滤光器相关联：紫外带通滤光器、红外带通滤光器、可见光带通滤光器、以及它们的任何组合。

5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述产生电磁波的步骤包括激活至少一个氙闪光灯、激活至少一个环形闪光，或由消波电路响应检测到从基底反射的预定量的电磁辐射而终止光脉冲。

6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中捕获电磁波的一部分包括由电荷耦合装置、CMOS装置以及线性光电二极管阵列中的至少一个接收电磁波的部分。

7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中由第一光轴和第二光轴限定的角度介于70度和110度之间。

8.如权利要求1至7中任一项所述的方法，其中在电子存储装置中存储第一光强值和第二光强值的表示的步骤包括在计算机存储器装置中存储数字化值。

9.如权利要求1至8中任一项所述的方法，所述方法还包括使用人体对位装置将人体的一部分设置在预定位置的步骤。

10.如权利要求1至9中任一项所述的方法，所述方法还包括基于捕获电磁波的一部分而用标准第一光强值和标准第二光强值来重新校准第一光强值和第二光强值的步骤。

11.一种被构造用来测量与基底关联的电磁辐射响应特性的设备，所述设备包括：

电磁源；

设置在电磁源和基底之间的第一偏振滤光器，所述第一偏振滤光器具有第一光轴；

电磁捕获装置；

设置在基底和电磁捕获装置之间的第二偏振滤光器，所述第二偏振滤光器具有第二光轴，所述第一光轴非平行于第二光轴；和

可操作地连接到电磁源和电磁捕获装置的计算装置，所述计算装置被构造用来使得电磁源产生电磁波，所述计算装置被构造用来从电磁捕获装置接收电子信息。