[发明专利]在SiO2表面制备纳米氧化铜的方法无效
| 申请号： | 200510061669.2 | 申请日： | 2005-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1776012A | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | 蒋新 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C18/02 | 分类号： | C23C18/02;C23C18/12 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sio sub 表面 制备 纳米 氧化铜 方法 | ||
【说明书】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
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