[其他]二氧化碲单晶体的生长技术在审
| 申请号： | 101985000007803 | 申请日： | 1985-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1005159B | 公开（公告）日： | 1989-09-13 |
| 发明（设计）人： | 蒲芝芬;葛增伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 潘振**;聂淑仪 |
| 地址： | 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 单晶体 生长 技术 | ||
【权利要求书】：
1、一种二氧化碲（Teo2）单晶的坩埚下降生长方法，其特征在于：（1）原料预烧;
将光谱纯TtO2原料装入氧化铝瓷坩埚中，在坩埚下降炉内预处理，于700℃保温12～15小时，再快速冷却至常温;
（2）准备籽晶切向和制作铂金坩埚;
可选沿〔110〕、〔001〕、〔100〕、以及任一方向生长的籽晶;准备生长所需多种形状的铂金坩埚;
（3）晶体的生长;
A.装料：将所需切向的籽晶及预烧处理过的料装入所需形状的铂金坩埚内，密封;
B.装炉：上述铂金坩埚装入陶瓷保护管内，其间空隙用耐火材料粉填实;
C.升温：以每小时80-100℃速率升温至780-800℃;保温度1-4小时;
D.生长晶体：按每小时0.2-0.8mm速率下降铂坩埚;下降结束后再以15-20℃/小时，降至低于100℃，切断电源，自然冷却。
2、根据权利要求1的生长方法，其特征在于：所述的多种形状的坩埚，可以是方棒、椭圆形、菱形、板状，圆柱形。
3、根据权利要求1的生长方法，其特征在于：
最佳坩埚下降的速度为0.4-0.6mm小时。
4、根据权力要求1或2的生长方法，其特征在于所述铂金坩埚的直径比生长晶体的大2-3mm。
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