[其他]对模糊现象不敏感的图象传感器及其制造方法

权利要求书

1、图象传感器是由第一导电型半导体衬底组成，衬底上有许多第一导电型连接表面的沟道区域，这些沟道区与衬底表面上的电极系统相垂直，工作时，在沟道区域中收集和传输电荷，这些沟道区由第二导电型连接表面的沟道隔离区相互分开，并且进一步和相对表面平行延伸的第二导电型半导体区相连接，其特征是：沟道区掺杂浓度超过半导体区的掺杂浓度，而半导体区本身的掺杂浓度又超过半导体衬底的掺杂浓度，半导体区的厚度沿沟道区垂直方向变化，在沟道中心达到最小值。

2、根据权利要求1所述的图象传感器，其特征是：在沟道区的中心断开半导体区，并在此切槽。

3、根据权利要求2中所述的图象传感器，其特征是：槽在与沟道区相垂直的方向的尺寸大于半导体区厚度的二分之一，并正好沿沟道隔离区的旁边测得。

4、根据权利要求1、2或3中所述的图象传感器，其特征是：沟道隔离区在其垂直方向的尺寸小于沟道区厚度的4倍，并正好沿沟道隔离区的旁边测得。

5、一种制造本发明的图象传感器的方法，其特征是：

在由第一导电型半导体衬底上通过具有以固定相对中心距离延伸的窗口的第一次掩模进行扩散杂质的方法来提供第二导电型区，然后通过以同样固定相对中心距离延伸的窗口的第二次掩模来提供构成沟道区的第一导电型区，第二次掩模安排成使得沟道区在第二导电型区之间的一半处形成。

6、根据权利要求5所述的方法，其特征是：

进行两次扩散，以使第二导电型区彼此不接触，并由第一导电型区将其分开。