[发明专利]利用一非对称光限制孔控制偏振的VCSELS

权利要求书

1、一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)包括：

一个底部镜面结构；

一个顶部镜面结构；

一个夹在顶部镜面结构和底部镜面结构之间的有源层；

与顶部镜面结构和底部镜面结构连接的电接触层；和

和在顶部镜面结构中限制从VCSEL到一非对称路径的光输出的限制装置。

2、如权利要求1所述的VCSEL，其中，所述限制装置是在顶部镜面中的多个蚀刻孔。

3、如权利要求2所述的VCSEL，其中，具有离子注入电限制孔以限制所述电限制层之间的电流。

4、如权利要求3所述的VCSEL，其中，所述底部镜面结构是一个n-掺杂分布布拉格反射器，并且所述顶部镜面结构是一个p-掺杂分布布拉格反射器。

5、如权利要求3所述的VCSEL，其中，所述底部镜面结构是一个p-掺杂分布布拉格反射器，并且所述顶部镜面结构是一个n-掺杂分布布拉格反射器。

6、如权利要求4所述的VCSEL，其中，所述有源层等于m×λ/2，这里m是整数。

7、如权利要求4所述的VCSEL，其中，所述有源层是一个波长长，缓变折射率分别限制异质结，多层量子阱结构。

8、如上述任一权利要求所述的VCSEL，其中，顶部和底部镜面由具有折射率高和低交替层的布拉格反射器构成，其中所述每一层的长度等于λ/4+n×λ/2，这里n是整数。

9、如权利要求5所述的VCSEL，其中，所述顶部和底部镜面由折射率高和低交替的四分之一波长层构成。

10、如权利要求6所述的VCSEL，其中，所述有源层包括一个AlGaAs/GaAs结构和所述镜面包括AlGaAs层。

11、如上述任一权利要求所述的VCSEL，其中，所述顶部镜面至少包括一氧化材料层。

12、如权利要求11所述的VCSEL，其中，所述氧化层包括具有比其余的镜面Al浓度高的AlGaAs层。

13、一种用于偏振控制的垂直腔表面发射激光器(VCSEL)的制作方法，所述方法包括：

提供一个VCSEL，所述VCSEL具有一个底部镜面结构；一个顶部镜面结构；一个夹在顶部镜面结构和底部镜面结构之间的有源层；和与顶部镜面结构和底部镜面结构连接的电接触层；和

在顶部镜面结构中制成限制从VCSEL到一非对称路径的光输出的限制装置。

14、如权利要求13所述的方法，其中，所述顶部镜面结构包括一氧化材料层。

15、如权利要求14所述的方法，其中，所述限制装置由在顶部镜面结构中以预定图案蚀刻多个孔制成。

16、如权利要求15所述的方法，其中，所述孔被向下蚀刻至少到所述氧化层。

17、如权利要求16所述的方法，其中，在蒸汽处理中暴露所述孔的步骤，因此选择地氧化所述氧化层。

18、如权利要求15所述的方法，其中，所述孔是在圆形图案中。

19、如权利要求15所述的方法，其中，所述孔是在椭圆形图案中。