[发明专利]带方位测量的便携电子设备及其磁传感器、方位测量方法无效
申请号: | 02140915.3 | 申请日: | 2002-07-10 |
公开(公告)号: | CN1396436A | 公开(公告)日: | 2003-02-12 |
发明(设计)人: | 佐藤秀树 | 申请(专利权)人: | 雅马哈株式会社 |
主分类号: | G01C17/32 | 分类号: | G01C17/32;H04Q7/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 马莹,邵亚丽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 方位 测量 便携 电子设备 及其 传感器 测量方法 | ||
1.一种便携式电子设备,包括:
外壳;
通信装置,位于所述外壳中,并具有永磁体;以及
方位测量装置,位于所述外壳中,用于通过利用地磁来测量方位,
其中所述方位测量装置包括:
磁传感器,用于输出对应于外磁场的信号;
温度传感器,用于检测温度;
校正器,用于根据所检测的温度,估计永磁体的磁场对从所示磁传感器输出的信号的影响,并根据所述估计的影响校正从所述磁传感器输出的信号;以及
方位确定装置,用于根据所校正的信号,确定方位。
2.如权利要求1所述的便携式电子设备,其中所述外壳具有第一平面,并且该便携式电子设备还包括形成于第一平面之上的、用于输入操作信号的输入装置。
3.如权利要求1所述的便携式电子设备,其中所述通信装置包括扬声器。
4.如权利要求1所述的便携式电子设备,其中所述通信装置包括麦克风。
5.如权利要求1所述的便携式电子设备,其中所述校正器在第一温度上测量包含在从所述磁传感器输出的信号中的、永磁体的磁场的影响,在不同于第一温度的第二温度上测量包含在从所述磁传感器输出的信号中的、永磁体的磁场的影响,并从第一温度、第二温度上的影响、以及使用所述温度传感器检测的当前温度中估计永磁体的磁场的影响。
6.如权利要求5所述的便携式电子设备,其中所述校正器包括:初始提示装置,用于当在第一温度上测量影响之后,使用所述温度传感器检测的温度与第一温度之间的差值变为预定温度、或更高时,提示该便携式电子设备的用户执行获得在第二温度上的影响的操作。
7.如权利要求6所述的便携式电子设备,其中所述的预定温度在5-25℃范围内选择。
8.如权利要求6所述的便携式电子设备,其中所述的初始提示装置包括字符显示装置。
9.一种磁传感器,包括:
基板;
磁传感器部件,形成于所述基板上,用于输出对应于外磁场方向和幅度的信号;以及
温度传感器,形成于所述基板上,用于感知温度。
10.如权利要求9所述的磁传感器,其中:
磁传感器包括多个磁传感器部件;
所述磁传感器部件是磁阻响应部件,具有固定磁化方向的固着层和磁化方向随外磁场变化的自由层,并且所述磁传感器部件根据固着层的磁化方向与自由层的磁化方向之间的夹角来改变其磁阻值;以及
在多个磁阻效应部件中至少两个部件的固着层的磁化方向是交叉(cross)的。
11.如权利要求9所述的磁传感器,还包括形成于所述基板上的数字信号处理电路。
12.如权利要求10所述的磁传感器,其中磁阻效应部件包括:
形成于所述基板上的下部电极;
形成于下部电极上的抗强磁性膜;
形成于抗强磁性膜上的第一强磁性膜;
形成于第一强磁性膜上的绝缘膜;以及
形成于绝缘膜上的第二强磁性膜。
13.如权利要求12所述的磁传感器,其中下部电极是由导电非磁性金属材料制成的。
14.如权利要求12所述的磁传感器,其中抗强磁性膜是由PtMn制成的。
15.如权利要求12所述的磁传感器,其中绝缘膜是由Al2O3或AlO制成的。
16.如权利要求12所述的磁传感器,其中强磁性膜是由NiFe制成的。
17.如权利要求12所述的磁传感器,其中第一强磁性膜是固着层,第二强磁性膜是自由层。
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