[发明专利]显像装置的环境控制装置及其环境控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于平版印刷工序的显像装置的环境控制装置及其环境控制方法。

背景技术

半导体集成电路装置的高集成化和高性能化可以由用于平版印刷工艺的抗蚀剂图案的微细化实现。

另外，为了实现抗蚀剂图案的进一步微细化，必须防止以往成为问题的微细图案的缺陷或异物的发生。

晶片或在晶片上形成的被处理膜上如果存在异物，则产生下述问题。即，如果被处理膜上存在异物，由于对被处理膜进行蚀刻时，异物变成了掩模，因而引起在被处理膜的应该蚀刻的区域形成残渣的问题。另外，如果在晶片上存在异物，对晶片进行离子注入时，异物变成了掩模，因而引起在离子注入的晶片上产生注入不均的问题。如果引起这样的问题，则导致半导体装置的特性劣化以及成品率下降。

因此，过去在向洁净室供给空气的空气供给装置中设置了化学过滤器。

下面参照图5说明以往的显像装置的环境控制装置的例子。

如图5所示，在洁净室1内，设置有例如显像装置A、涂布装置B和洗涤装置C。在洁净室1的顶部设置了从外部向洁净室1供给空气的洁净室用空气供给装置2，在此洁净室用空气供给装置2中，设有洁净室用加压送风机3和化学过滤器4。由此，从外部取来的空气5以除去了化学污染物质的状态供给洁净室1。

在显像装置A的晶片处理室10的顶部设置了显像装置用空气供给装置11，在此显像装置用空气供给装置11中设有显像装置用加压送风机12、具有温湿度控制系统19a和HEPA过滤器19b的过滤器单元19。由此，将从外部即洁净室1内收集的空气14以调整了温度和湿度且具有超过给定尺寸粒径的粒子被除去的状态供给晶片处理室10。

另外，如下面说明的那样，为了除去成为微细图案缺陷或异物发生原因的化学污染物质，已经提出了在洁净室内设置各种过滤器的技术。

例如，在实开平2-131143号公报中记载了下面的内容。也就是说，由于从洁净室排出的空气被洁净化后，再次供给洁净室内，因而若在洁净室产生毒性气体泄漏的场合，出现此毒性气体循环再次进入洁净室内的问题。另外，如果大气中存在有污染物质，如H₂S、SO_x或NO_x等，这些污染物质即使是极微量的，也通过循环而被浓缩，因此会给在洁净室内的操作人员以及制造装置带来恶劣影响。因此，为了防止微细图案的缺陷或异物的发生，提出在洁净室内安装除去含SO_x和NO_x的化学污染物质的化学过滤器的技术。

另外，在日立设施技法1992，Vol.13，4～8页中记载了如下内容。即，随着LSI微细化的进展，进行LSI制造过程的高洁净化，除粒子状物质之外，气体状物质也被视作污染物质。作为气体状物质，有从外面空气侵入洁净室内的SO_x和NO_x等气体、从洁净室内制造装置发生的氢氟酸及盐酸等微量酸性气体。这些污染物质认为在LSI的制造过程中对半导体层的表面或界面产生恶劣影响。对于从外面空气侵入的微量酸性气体，有必要实施在设置于洁净室内的空调机中设置气体除去过滤器等对策。

还有，在第11届空气清洁与污染控制研究大会的预备稿集的第165～168项中记载了如下内容。即，由于用HEPA过滤器或ULPA过滤器等微粒用过滤器不能除去在大气中微量含有的SO_x和NO_x等污染物质，因而在侵入洁净室内之后，吸附于晶片表面，对产品的特性及成品率等产生恶劣影响。认为这种情况伴随LSI的集成度提高而成为更大的问题。为了排除这些污染物质，在洁净室的外部气体处理系统中设置污染物质除去过滤器的例子日益增多。另一方面，对在洁净室内发生的氨气和酸性气体，尝试在循环系统中设置污染气体除去过滤器来除去。

另外，在日立评论Vol.73，NO.9(1991-9)第83～90页中记载有下述内容。即，半微米时代的LSI必须对硅层表面或界面上的原子顺序进行控制。在LSI加工环境中，不仅不允许存在粉尘，而且也不允许SO₂、HCl和HF等化学物质的存在。然而，这些化学物质在通过HEPA过滤器，或洁净室内的药液洗涤装置处理时在加工环境中微量漏出，附着在硅层的表面。这次开发的化学过滤器对除去这些化学物质极有效。

可是，为了防止微细图案的缺陷或异物的发生，已经讲了上述各种对策，即在洁净室设置化学过滤器和污染气体除去过滤器的对策，但本发明人面临还不能确实防止微细图案的缺陷或异物发生的事实。